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TMS320VC5410分页烧写Flash的多页程序并行自举
14,5$/6789$分页烧写
+:;=的多页程序并行自举※
兵器工业第 研究所 左颢睿 李焱 马艳
□ 58
以TMS320VC5410为例,介绍对 Am29LV200BFlash存储器进行程序分页烧写以及上电后多页用户程
序并行自举的方法。对多页 Flash存储器的烧写,须在烧写过程中对已烧写的数据长度进行动态判断,
当达到预定烧写长度后对Flash进行换页,然后继续烧写,重复上述换页过程,直到程序烧写完为止。对
摘 要
多页程序的并行自举,在系统上电后,利用 提供的自举程序,将一个用户自己编写的前导程序载入
TI
,利用该前导程序将多页程序载入 来实现程序的自举。此方法适用于多种 芯片和
DSP DSP Flash C5000
系列 。
DSP
关键词 TMS320VC5410 Am29LV200B DSP 多页并行自举
公司的 芯片 (简称 )是 分的数据。文中 128K×16位 Am29LV200BFlash 映射
TI DSP TMS320VC5410 5410
性能卓越的低功耗定点 ,在嵌入式系统中有着广泛的 为 的片外数据存储空间,地址为: ,
DSP 5410 0x8000 0xFFFF
~
应用。 没有自带的片上非易失性存储器,因此需要 数据总线 位,用于 位方式的并行引导装载。
5410 16 16 128K
外部的非易失性存储介质,如 或 ,来存储程 的 被分为 页进行访问。本文通过 的 / 端
EPROM Flash Flash 7 DSP IO
序和数据。 片内有 字 。 由于在片内 口向FPGA写控制字,由FPGA控制 Flash的换页引脚对
5410 64K RAM RAM
运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点,通常上 各个分页进行访问;以烧写 个页面为例,使用 的
2 Flash
电后都需要从片外 或 上加载程序到片内 第 、 页,初始化时选中第 页。
EPROM Flash 12 1
,但是芯片自带的自举程序(简称 )只支持
RAM Bootloader 存储器的分页烧写
1.2 FI
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