NAND_Application_Theory参考.ppt

BBM： 如果在擦除一个块之前，一定要先check一下spare area的第6个byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除，以免将坏块标记擦掉。当然，这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。 如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把page里其他好的面的内容备份到另外一个空的好块里面，然后，把这个块标记为坏块。当然，这可能会犯“错杀”之误，一个补救的办法，就是在进行完页备份之后，再将这个坏块擦除一遍，如果Block Erase发生错误，那就证明这个块是个真正的坏块。 ECC： ECC能在硬件或软件中执行。在编程操作期间，ECC单元根据扇区中存储的数据来计算误码校正代码。数据区的ECC代码然后被分别写入到各自的空闲区。当数据被读出L，ECC代码也被读出；运用反操作可以核查读出的数据是否正确。 ECC能在硬件或软件中执行。在编程操作期间，ECC单元根据扇区中存储的数据来计算误码校正代码。数据区的ECC代码然后被分别写入到各自的空闲区。当数据被读出L，ECC代码也被读出；运用反操作可以核查读出的数据是否正确。 wear-leveling： 由于Flash具有擦除次数有限、先擦后写的特点,会带来使用寿命有限的缺陷.为延长其预期使用寿命,普遍采用耗损均衡算法对各存储单元进行管理 Wear Leveling又分为Dynamic Wear Leveling和Static Wear Leveling，（以下简称为动态耗损均衡和静态耗损均衡）动态耗损均衡的工作范围只限于动态数据（经常移动位置的数据或者删除变换的）和未使用空间之间。也就是说，如果一个区块被写入了数据，这部分就不在动态负载均衡管辖的范围（即称之为静态数据）。而静态负载均衡不会，他会强制搬移已经存储的数据到写入次数更少的区块中去，这样可以在更大程度上增加使用寿命和可靠性。 CSMC MBU SMT * Chip Enable:CE 当NAND处于Ready state，并且CE为高电平，NAND进入待机模式；当NAND处于Busy state，即在进行读写或擦除操作时，CE信号不管什么状态，NAND都不会进入待机模式。 Write Enable:WE WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。 Read Enable:RE 在RE下降沿，允许输出数据缓冲器，并且列地址自动+1 Ready/Busy:RY/BY RY/BY 信号用于标示NAND状态。在进行读、写、擦除操作时，该信号为低电平，NAND处于Busy Status; 操作完成后，该信号为高电平，NAND处于 Ready Status. 该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。 I/O Port: I/O0 to I/O7 I/O端口用于命令、地址以及I/O数据的传输。 Write Protect: WP WP#用于保护NAND数据，防止意外修改或擦除。 该信号无连接时，自动接VSS，防止对数据改写。 52Pin Assignment Pin Names 5.Command Definitions Read Operations PAGE READ （00h-30h） CLE高，CE#低，在WE#上升沿，发出00h指令到命令寄存器，ALE高，5个时钟周期后，发出30h结束指令，数据开始被读取到数据寄存器，R/B#在读取时低，读取结束后，R/B#高，在脉冲信号RE#下顺序读取数据。 RANDOM DATA READ （05h-E0h） -在PAGE READ命令之后发出； -仅限当前页访问； PAGE READ CACHE MODE Operations Cache register:增加读取速度 前提：通过PAGE READ 读取一页到cache： READ CACHE MODE SEQUENTIAL （31h） 顺序读取下一页到数据寄存器； ※只可在block内进行 READ CACHE MODE RANDOM （00h-31h) 读取指定页到数据寄存器； ※可在block间进行，不可以在die间进行此操作 PAGE READ CACHE MODE LAST (3Fh) 当块中最后一页读完后或者没有新的PAGE READ CACHE MODE指令发出时，发布3Fh指令； READ ID （90h）