MCM与SIP.ppt

② 堆叠结构(3D) 芯片/器件在封装内3D装配，可以是芯片和芯片的堆叠，也可以是器件和器件之间的堆叠，如倒装晶片通过硅片面对面的堆叠，采用引线键合晶圆和晶圆的堆叠等 。 ③ 内埋结构 指的是将一些被动元件或晶圆嵌入印刷电路板或聚合体中，可以是一层，也可以是功能层多层的堆叠。 SiP的应用 系统级封装在医疗电子、汽车电子、功率模块、图像感应器、手机、全球定位系统、蓝牙等方面应用越来越多。 从发展的趋势来看，内置器件已由引线键合逐渐转向倒装晶片，由2D装配转变为3D堆叠装配。 3G无线通信中SIP的应用： CPU、RF、ASIC和RAM以及一些被动元器件的集成； Ericsson蓝牙中的应用： 系统集成封装与0201等元件组成蓝牙系统； 晶圆上的堆叠装配—图像感应器： 在玻璃晶圆上堆叠晶片 尺寸5至6毫米 此页为内页背景，在母版编辑视图下，双击白色区域选择填充图片，填入背景图（1024*768） 第五章MCM与SIP 多芯片组件MCM 多芯片组件是在高密度多层互连基板上，采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件（IC裸芯片及片式元器件）组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品（包括组件、部件、子系统、系统）。 是为适应现代电子系统短、小、轻、薄和高速、高性能、高可靠、低成本的发展方向而在PCB和SMT的基础上发展起来的新一代微电子封装与组装技术，是实现系统集成的有力手段。 MCM的优点 封装效率高，成本低； MCM是将多块未封装的IC芯片高密度安装在同一基板上构成的部件，省去了IC的封装材料和工艺，节约了原材料，减少了制造工艺，缩小了整机／组件封装尺寸和重量。 芯片间间距小，高密度组装，实现组件高速化； MCM是高密度组装产品，芯片面积占基板面积至少20％以上，互连线长度极大缩短，封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化。 提高了可靠性； MCM芯片与基板的互连数少，避免了单块IC封装的热阻、引线及焊接等一系列问题，使产品的可靠性获得极大提高。 MCM封装的优点 电性能提高 MCM的多层布线基板导体层数应不少于4层，能把模拟电路、数字电路、功率器件、光电器件、微波器件及各类片式化元器件合理而有效地组装在封装体内，形成单一半导体集成电路不可能完成的多功能部件、子系统或系统。使线路之间的串扰噪声减少，阻抗易控，电路性能提高。 先进成熟的工艺技术 MCM集中了先进的半导体IC的微细加工技术，厚、薄膜混合集成材料与工艺技术，厚膜、陶瓷与PCB的多层基板技术以及MCM电路的模拟、仿真、优化设计、散热和可靠性设计、芯片的高密度互连与封装等一系列新技术，因此，有人称其为混合形式的圆片规模集成技术。 MCM 封装分类 按照工艺方法及基板使用材料的不同可分为： 陶瓷MCM（MCM-C：ceramics） 硅或介质材料上的淀积布线MCM（MCM-D：Deposition） 层压介质MCM（MCM-L：Laminate） MCM-C 采用高密度多层布线陶瓷基板制成的MCM 结构和制造工艺都与先进IC极为相似； 优点是布线层数多，布线密度、封装效率和性能均较高，主要用于工作频率30～50MHz的高可靠产品； 制造过程可分为高温共烧陶瓷法HTCC和低温共烧陶瓷法LTCC。由于低温下可采用Ag、Au、Cu等金属和一些特殊的非传导性的材料，近年来，低温共烧陶瓷法占主导地位。 是建立在厚膜及多层共烧陶瓷基板混合电路基础上的一种工艺，主要是利用 网印的方法将金属导体印在生瓷片上实现电气互连 ，然后经过层压、排胶 、烧结等工艺制做电路。 MCM-D 采用薄膜多层布线基板制成的MCM 更高的布线密度、可靠性；更高的封装效率；更优良的传输特性；成本高。 其基体材料又分为 MCM-D／C(陶瓷基体薄膜多层布线基板的MCM) MCM-D／M(金属基体薄膜多层布线基板的MCM) MCM-D／Si(硅基薄膜多层布线基板的MCM) MCM-D的组装密度很高，主要用于500MHz以上的产品。 以薄膜技术和 IC 工艺为 基 础 的一 种新的MCM互 连技术。是应用薄膜的层互连技术将金属材料蒸发或溅射到基板上，用光刻法实现互连 。 MCM-L 采用多层印制电路板做成的MCM 制造工艺较成熟，生产成本较低 芯片的安装方式和基板的结构所限，高密度布线困难,电性能较差。 主要用于30MHz以下的产品。 MCM基板与芯片之间的互连方式 3D-MCM 通常所说的多芯片组件是指二维 MCM ，它的所有元器件布置