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SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验V3.1版.docVIP

SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验V3.1版.doc

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SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验V3.1版

实验十七 SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 特性实验 实验目的 (1)掌握各种电力电子器件的工作特性。 (2)掌握各器件对触发信号的要求。 二、实验所需挂件及附件 序号 型  号 备   注 1 DJK01 电源控制屏 该控制屏包含“三相电源输出”,“励磁电源”等几个模块。 2 DJK06 给定及实验器件 该挂件包含“二极管”以及“开关”。 3 DJK07 新器件特性实验 4 DJK09 单相调压与可调负载 5 万用表 自备 实验线路及原理 将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载电阻R串联后接至直流电源的两端,由DJK06上的给定为新器件提供触发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A特性;图中的电阻R用DJK09 上的可调电阻负载,将两个90Ω的电阻接成串联形式,最大可通过电流为1.3A;直流电压和电流表可从DJK01电源控制屏上获得,五种电力电子器件均在DJK07挂箱上;直流电源从电源控制屏的输出接DJK09上的单相调压器,然后调压器输出接DJK09上整流及滤波电路,从而得到一个输出可以由调压器调节的直流电压源。 实验线路的具体接线如下图所示: 图3-26 新器件特性实验原理图 四、实验内容 (1)晶闸管(SCR)特性实验。 (2)可关断晶闸管(GTO)特性实验。 (3)功率场效应管(MOSFET)特性实验。 (4)大功率晶体管(GTR)特性实验。 (5)绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。 五、预习要求 阅读电力电子技术教材中有关电力电子器件的章节。 六、思考题 各种器件对触发脉冲要求的异同点? 七、实验方法 (1)按图3-26接线,首先将晶闸管(SCR)接入主电路,在实验开始时,将DJK06上的给定电位器RP1沿逆时针旋到底,S1拨到“正给定”侧,S2拨到“给定”侧,单相调压器逆时针调到底,DJK09上的可调电阻调到阻值为最大的位置;打开DJK06的电源开关,按下控制屏上的“启动”按钮,然后缓慢调节调压器,同时监视电压表的读数,当直流电压升到40V时,停止调节单相调压器(在以后的其他实验中,均不用调节);调节给定电位器RP1,逐步增加给定电压,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,记录给定电压Ug调节过程中回路电流Id以及器件的管压降Uv。 Ug Id Uv (2)按下控制屏的“停止”按钮,将晶闸管换成可关断晶闸管(GTO),重复上述步骤,并记录数据。 Ug Id Uv (3)按下控制屏的“停止”按钮,换成功率场效应管(MOSFET),重复上述步骤,并记录数据。 Ug Id Uv (4)按下控制屏的“停止”按钮,换成大功率晶体管(GTR),重复上述步骤,并记录数据。 Ug Id Uv (5)按下控制屏的“停止”按钮,换成绝缘双极性晶体管(IGBT),重复上述步骤,并记录数据。 Ug Id Uv 八、实验报告 根据得到的数据,绘出各器件的输出特性。 九、注意事项 (1)可参考实验六的注意事项 (1)。 (2)为保证功率器件在实验过程中避免功率击穿,应保证管子的功率损耗(即功率器件的管压降与器件流过的电流乘积)小于8W。 (3)为使GTR特性实验更典型,其电流控制在0.4A以下。 (4)在本实验中,完成的是关于器件的伏安特性的实验项目,老师可以根据自己的实际需要调整实验项目,如可增加测量器件的导通时间等实验项目。 134

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