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[物理]ZJ-晶体缺陷
平衡浓度的推导 假设条件: (1)晶体体积保持常数,不随温度而变;每个缺陷的能量 与温度无关; (2)缺陷间没有相互作用,彼此独立无关; (3)空位及间隙原子的存在不改变点阵振动的本征频率。 与点缺陷有关的能量与频率 空位形成能:DEv 原子-〉晶体表面 =电子能+畸变能 第二部分 位错概念与位错几何 刃位错攀移示意图 实际的位错常常是混合型的,介于刃型和螺型之间。 位错的高分辨图像 位错的明场像原理 典型的位错明场像照片 柏氏矢量的确定 Burgers Vector 各种位错的柏氏矢量 柏氏矢量的物理意义 柏氏矢量的守恒性 柏氏矢量的表示法 柏氏矢量的大小和方向可用它在晶轴上的分量-------点阵矢量, 来表示 在立方晶体中, 可用于相同的晶向指数来表示: 第三部分 位错力学 位错的应力场:应力张量 应力张量:二阶张量 螺型位错的应力场 螺型位错的应力场的特点 只有切应力分量,无体积变化 应变、应力场为轴对称 1/r 规律;r-0, 应力无穷大,不合实际情况,不适合中心严重畸变区。此规律适用于所有位错! 刃型位错的应力场 刃型位错应力场的特点 同时存正、切应力分量, 正比于Gb 各应变、应力只是(x, y)的函数,平面应变 多余半原子面所在平面为对称平面 滑移面上无正应力、切应力达最大值 上压下拉 Anywhere 特征分界线 x = +-y, txy, tyy 在其两侧变号, 其上则为零 位错的应变能 位错应变能的特点 位错的线张力 线张力: 为了降低能量,位错自发变直,缩短长度的趋势 T=dE/dl T= aGb2 (a=0.5~1.0) * 组态力 趋向于能量较低的状态,没有施力者 * 线张力的意义: a. 使位错线缩短变直 b. 晶体中位错呈三维网状分布 作用在位错上的力 位错运动方向⊥位错线 =〉 假想力作用于位错上 虚功原理:=〉 滑移力: Fd=tb t:作用在滑移面上、指向柏氏矢量b的剪应力 * 永远⊥位错线 攀移力:Fy = -sxxb ⊥位错线,也⊥ b(刃位错或刃型分量) 位错间的作用力 通过彼此的应力场实现: F1-2 = t1-2b2 两刃位错间作用力的讨论(一) 两刃位错间作用力的讨论(二) 两任意平行位错间作用力 第四部分 位错运动与实际晶体中的位错 位错的运动(一) 位错的运动(二) 位错的运动(三) 位错的交割(一) 螺位错运动过后晶体两部分的相对运动方向 假设滑移面左侧晶体不动,请判断正负螺位错在不同的方向运动后,右侧晶体的运动方向。 vc: 晶体右侧运动方向;vd: 位错运动方向 螺旋起点、终点在已滑过区域有利于判断。 位错的交割(一) 位错的交割(二) 位错的交割(三) 割阶与纽折(Jog and Kink) 位错密度 位错密度:单位体积中的位错线的总长度。 r = L/V (1/cm2)(1) r= nl/lA = n/A (2) (面积A中所见的位错线数目) (2)(1) 宏观应变率与位错运动速率及密度的关系 位错的生成 晶体缓慢生长过程中产生的位错: 1。成分不同=〉晶块点阵常数不同=〉位错过渡 2。晶块偏转、弯曲=〉位相差=〉位错过渡 3。晶体表面受到影响=〉台阶或变形=〉产生位错 快速凝固=〉过饱和空位=〉聚集=〉位错 热应力=〉界面和微裂纹处应力集中=〉局部滑移=〉位错 位错的增殖 事实上:密度增加,可达4-5 个数量级 位错必有增殖! 螺位错双交滑移增殖 比Frank-Read源更有效! 实际晶体中的位错 简单立方晶体:柏氏矢量 = 点阵矢量 实际晶体:柏氏矢量 = ,, 点阵矢量 典型晶体结构中的单位位错的柏氏矢量 实际晶体中的堆垛顺序 不全位错:与堆垛层错有关 堆垛层错: 实际晶体中的密排面的正常堆垛顺序遭到破坏 实际晶体中的堆垛顺序:密排原子面按一定顺序堆垛而成。 面心立方:ABCABCABC…; DDDDD.... 密排六方:ABABABAB…;D▽ D▽… 堆垛层错(一) 堆垛层错(二) 层错能 形成层错几乎不产生点阵畸变,但会破毁晶体的正常周期完整性= 晶体能量升高 增加的能量称为“堆垛层错能”或“层错能”(J/m2) 层错能越低,层错出现的几率越大,越易观察到,例如奥氏体不锈钢中。 不全位错 不全位错:堆垛层错与完整晶体的分界线(b
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