[理学]1-半导体基础知识_习题410.ppt

增强型MOS管uDS对iD的影响(uGSuGS（th）,且不变) iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 uGD UGS（th）,iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 场效应管知识回顾 夹断区 可变电阻区 横流区 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通,且由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS(off) uGS=0时就存在导电沟道 场效应管知识回顾 夹断区： uGS≤UGS(th) 可变电阻区： uGSUGS(th) uGDUGS(th) 恒流区： uGSUGS(th) uGDUGS(th) 夹断区： uGS ≤ UGS(off) 可变电阻区： uGSUGS(off) uGDUGS(off) 恒流区： uGSUGS(off) uGDUGS(off) 增强型： 耗尽型： 夹断区： uGS ≥ UGS(th) 可变电阻区： uGSUGS(th) uGDUGS(th) 恒流区： uGSUGS(th) uGDUGS(th) 夹断区： uGS ≥ UGS(off) 可变电阻区： uGSUGS(off) uGDUGS(off) 恒流区： uGSUGS(off) uGDUGS(off) 增强型： 耗尽型： 结型 (N沟道) 结型 (P沟道) 增强MOS (N沟道) 增强MOS (P沟道) 耗尽MOS (N沟道) 耗尽MOS (P沟道) 夹断区 uGS≤UGS(off) 0 uGS≥UGS(off) 0 uGS≤UGS(th) uGS ≥UGS(th) uGS≤UGS(off) 0 uGS≥UGS(off) 0 可变电阻区 uGSUGS(off) uGDUGS(off) uGSUGS(off) uGDUGS(off) uGSUGS(th) uGDUGS(th) uGSUGS(th) uGDUGS(th) uGSUGS(off) uGDUGS(off) uGSUGS(off) uGDUGS(off) 恒流区 uGSUGS(off) uGDUGS(off) uGSUGS(off) uGDUGS(off) uGSUGS(th) uGDUGS(th) uGSUGS(th) uGDUGS(th) uGSUGS(off) uGDUGS(off) uGSUGS(off) uGDUGS(off) 恒流区电位 UDUSUG UDUSUG 1.13 3 1 2 1.13 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off） p 以n沟道为例，GS间加负电压 1. 结型场效应管 结型场效应管知识回顾 夹断区 未夹断 沟道夹断 夹断区 可变电阻区 恒流区 可变电阻区 恒 流 区 击 穿 区 夹断区（截止区） IDSS ΔiD 场效应管转移特性曲线 场效应管输出特性曲线 N沟道：夹断区： uGS≤UGS(off) 可变电阻区： 0uGSUGS(off) 0uGDUGS(off) 恒流区： 0uGSUGS(off) uGDUGS(off) P沟道：夹断区： uGS≥UGS(off) 可变电阻区： 0uGSUGS(off) 0uGDUGS(off) 恒流区：0 uGSUGS(off) uGDUGS(off) P49，图1.4.13 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 增强型NMOS管 大到一定值才开启uGS（th） 绝缘栅型场效应管知识回顾 夹断区 可变电阻区 横流区 增强型NMOS管为例 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通,且由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS(off) uGS=0时就存在导电沟道 夹断区： uGS≤UGS(th) 可变电阻区： uGSUGS(th) uGDUGS(th) 恒流区： u