[理学]模电专升本复习.ppt

6．5 多级放大电路 1. 阻容耦合 阻容耦合放大电路级与级之间 是通过电容和电阻连接的，如 图5.19所示 图5.19 阻容耦合示意图 图5.20 变压器耦合示意图 3. 光电耦合 光电耦合放大电路是以光信号做媒介实现电信号的级间传递的，如图5.22所示。 图5.22 光电耦合示意图 4. 直接耦合 直接耦合放大电路----就是把前级的输出端直接或通过电阻接 至后级的输入端，如图5.23所示。 图5.23 直接耦合示意图 多级放大电路采用直接耦合方式，各级的静态工作点互相牵连。 且最大缺点有温度漂移。 （零点漂移） 这是以分贝为单位的电压放大倍数。 根据元件的不同，有两类放大电路构成： TTL电路 CMOS电路 TTL电路的输入输出部分是由晶体三极管构成； CMOS电路的输入输出部分是由场效应管构成。由于场效应管在制作工艺上的原因，使其输入电阻很高。它具有抗干扰能力强，功耗低等特点。 7. 集成运算放大器的应用 一.反相输入组态 比例系数可大于或等于1。当RF=0或 R1=∞时，即RF／R1= 0时，电路成了 电压跟随器，如图6.27。 图6.27 电压跟随器 7.4 负反馈对放大电路性能的改善 电路引入负反馈是以牺牲放大倍数为代价，换取对性能的改善。 1. 提高闭环增益 稳定性 2. 减小非线性失真，抑制环内噪声 3. 扩展通频带，减小频率失真 图6.23 负反馈可扩展通频带 电压反馈可以稳定输出电压； 电流反馈可以稳定输出电流。 第10章 直流稳压电源 图10.1 直流电源的组成 1．工作原理 图10.2 单相桥式整流电路 10.1 单相整流电路 10.1.1单相桥式整流电路 滤波 10．3 稳压电路 10.3.1并联型直流稳压电路 图10.12稳压管稳压电路 一. 杂质半导体 1. Ｎ型半导体 在本征半导体中, 掺入微量５价元素（ 如磷,锑、砷等）------Ｎ型半导体。 自由电子为多子；空穴为少子。 图 5- 4 N型半导体共价键结构 第5章 二极管和三极管 2. P型半导体 在本征半导体中, 掺入微量３价元素（ 如硼、镓、铟等） 图 5– 5 P型半导体的共价键结构 P型半导体-----空穴为多子； 自由电子为少子。 2. ＰＮ结的单向导电特性 1）. ＰＮ结外加正向电压 电源：正极接Ｐ区, 负极接Ｎ区-------正向接法或正向偏置。形成正向电流, 其方向由电源正极通过Ｐ区、Ｎ区到达电源负极。 2）ＰＮ结外加反向电压 电源:正极接Ｎ区, 负极接Ｐ区-------反向接法或反向偏置。 反向电流很小，近似为0。 ＰＮ结处于截止状态,其阻值很大. 综上所述： ＰＮ结加正向电压, 处于导通状态；加反向电压, 处于截止状态, 即ＰＮ结具有单向导电特性。 图 5-8 PN结单向导电特性 3）ＰＮ结的击穿 . 三极管的结构 图5-27 半导体三极管的符号 5．2 半导体三极管 二。三极管的电流放大作用： 三. 半导体三极管的伏安特性 （1）输入特性 常用 的曲线表示 . （2）输出特性 输出特性分三个区域，表示三种不同 的工作状态。 ①截止区（状态）：处于 曲线以下的区域（ 即发射结反偏，集电结反偏。 对ＮＰＮ三极管, ＵＢＥ＜０, ＵBC＜０ ②放大区（状态）：即发射结正偏，集电结反偏。 此时 且 当IB不同时，得到一簇相互平行的曲线，不随 改变，为线性区。 对于ＮＰＮ三极管, 工作在放大区时ＵＢＥ≥０.７V, 而ＵＢＣ＜０。 ③饱和区（状态）：即发射结正偏，集电结正偏。 此时 ，但 表明b极电流失去了对c极电流的控制作用。 对NPN三极管,ＵＢＥ＞０, ＵＢＣ＞０ （2）极限参数 为使三极管安全工作，对它的工作电压、电流和功率损耗将受到限制，正常工作应在的安全工作区域 五．PNP与NPN型三极管的比较 图5-24 三极管的共射组态放大电路偏置电路 (a) NPN型 (b) PNP型 表5.1.1 三极管各电极电位间的关系 1.二极管的特性是什么？ 2.已知三极管三个管脚1,2,3的电位分别是4V,3.4V,9V。求此三极管的三个管脚分别是对应什么极？此管是硅管还是锗管？是NPN管还是PNP管？ 3.已知三极管三个管脚1,2,3的电位分别是-6V, -2.3V，-2V。求此三极管的三个管脚分别是对应什么极？此管是硅管还是锗管？是NPN管还是PNP管？ 第6章 三极管放大电路 6．1 共射极基本放大电路 1．直流分析 直流通路----- 时