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aC÷N膜的制备及结构分析
/ 19973
- ÷ *
a C N
Preparation and Structure Analysis of Amorphous Carbon Nitride Films
( )
Zhang Guif eng Zhang ianho ng Geng Dong sheng Liu ZhengtangZheng Xiulin
( Colleg e of M aterials Science and Eng ineering , Northw estern Poly technical Univ er sity)
[ ] ( a -C÷N) , X ( X PS )
( FT -IR) ( RS ) ,
, C- N , a -C ÷N , C
N
:
[ Abstract ] Am orphous carbo n nitr ide f ilms ( a-C ÷N ) have been grow n on Ge substrate us-
ing radio frequency sputtering of graphite in nitro gen and acetylene plasma . The structur e and
co mposition of a -C ÷N f ilms w ere analy zed by X-ray photo electr on spectro scopy ( XPS ) , infrared
( - ) ( ) .
absorptio n FT IR and Ram an spectr oscopies RS The results indicate that the incorporated
nitro gen is chemically bonded to carbon . T he concentratio n of the incorporated nitr ogen and triple
- ÷ .
bonded CN in a C N f ilms increased w ith increasing of nitr ogen content in mix ture g as
Keywords : r f sputter ing am orphous carbon nitr ide film sstructure
1 [ 3] ,
54mm , 120W
,
13. 56HMz
[ 15]
, , -
B ,
- , ,
Si3N4 B C3N4 100 ,
[ 6]
- 2
410 , 5 00900V , 4 0min
B-C N ,
3 4 ,
[ 7]
- , /
B C3N4 C N 8 - ÷
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