Ge在MnBiAlGe合金薄膜磁光特性中的作用Ξ.pdf

　第 19 卷　第 1 期 华 侨 大 学 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) . 19　 . 1　 V o l N o 　1998 年 1 月 ( ) . 1998　 Jou rn a l o f H u aqiao U n iver sity N atu ra l Scien ce J an Ge 在M n B iA lGe 合金薄膜磁光 特性中的作用 杨林倩　　章　勇 (华侨大学电气技术系, 泉州 3620 11) 摘要　研究了M nB iA lGe 合金薄膜的磁光特性, 并着重探讨 Ge 在合金薄膜中组分变化对磁光特 性的影响, 得出了当 Ge 为 0 3 时, 其克尔角可达 175 °, 是很有希望的新型磁光材料 关键词　克尔角, 磁光效应, 薄膜 分类号　O 484 4 1 60 年代以来, 磁光存贮技术作为一种高密度存贮技术, 引起人们浓厚的兴趣 传统的磁 存储器件由于受记录材料本身性能和存储方式的限制, 很难进一步提高存储密度 磁光记录 具有强的垂直各向异性、磁畴直径很小、记录密度大、读写速度快及与记录介质无机械接触等 优点而备受人们关注, 对磁光记录介质的研究也迅速开展 作为磁光记录材料, 必须具备垂直 膜面各向异性、大的克尔角和高的反射率、合适的居里温度和高的矫顽力 目前, 市场上的第 一代磁光盘的记录材料为非晶稀土——过渡族金属合金, 如T bF eCo 和 GdF eCo 等三元合金, 但其热稳定性差, 磁光性能欠佳 薄膜是第二代磁光材料候选物之一, 其优 良的磁光性 M nB i 〔1〕 能早在 60 年代就被人们所关注, 并尝试用于磁光记录 , 但由于M nB i 在高温下发生相变, 这 〔2 〕 使它很难实用化 近年来,W an g 等人在A l 掺杂的M nB i 合金膜上获得许多重要结果, 发现 A l 的掺杂不仅增强了样品的稳定性, 且克尔角和矫顽力也得到提高 我们研究了在 Ge 的不 同掺杂成分下M nB iA lGe 合金膜的磁光特性, 着重探讨了Ge 的添加对材料磁光特性及其它 性能的影响 1　实验方法 样品的制备采用电子束热蒸发, 在 67 ×10- 4 的真空状态下, 依次将 , , , 顺 P a B i A l M n Ge 序蒸发到基片上成膜, 最后以SiO 覆盖作保护层, 样品总厚为 300 nm 将蒸镀好的样品放到 真空退火炉中, 在 2 0 ×10- 4 P a 的真空状态下, 保持恒温 623 K , 退火 6 h 后自然冷却至室温. 我们分别用理学 型转靶式 射线衍射仪对样品进行了结构分析; 用俄歇电子 D m ax A X 谱仪分析了样品的化学成分; 用转矩仪测定了样品的各向异性常数; 利用实验室自搭的测量装 ( ) 置测定了样品的克尔角 测量精度为 00 1°, 光源采用的是 激光 此外, 还利用单色谱