Intersil高性能单通道同步降压PWM控制器.pdf

武汉力源信息技术股份有限公司 免费电话：800-880-8051 Intersil 高性能单通道同步降压PWM 控制器 ISL6420B 器件在完善控制和保护配置进行简化，实现高性能 DC / DC 降压转换器。输入电压范围 4.5V~5.5V 或 5.5V~28V 两种选择。采用同步整流降压拓扑结构，驱动外部两个N 沟道的MOSFET ，具有 控制、输出调整、监控和保护的功能。可实现 3.3V/10A 的电压/ 电流输出。 器件提供简单的单反馈回路，电压模式瞬态响应控制，降压转换能够精准调至 0.6V ，器件操作开关 频率通过外接电阻进行调节，调节频率范围 100kHz 至 1.4MHz。 器件内部误差放大器正向端基准源，可选用内部基准电压源 0.6V ，也可选用外部基准电压源，由 GPIO1/REFIN 双功能引脚提供，设置电压范围 0.6V 至 1.25V。放大器带宽 15MHz，限斜率 6V/µs 。通过 器件ENSS 引脚与地之间的外接电容值，可设置PWM 软启动。 特性 4.5V~5.5V 输入电压或 5.5V~28V 输入电压 快速瞬态响应 0.6V 内部基准电压（±2.0%参考精度） — 高带宽误差放大器 外接电阻设定开关频率（100kHz 至 1.4kHz） — 完整 0%至 100%占空周期 输出电压余量和外部参考源跟踪模式 广泛的电路保护功能 输出来自外接 MOSFET 的漏极或源极电流 — 正常、过流、过压、关闭提示 使用高端 MOSFET 的导通电阻，进行无损的、 在预偏置负载的应用中，启动期间的二极管 可设置过流保护 效仿模式 通过外接电容，可设置软启动 小型 10 引脚4mmX4mm DFN 封装 高、低端驱动外部N 沟道MOSFET 无铅封装（RoHS 兼容） 简单电压模式PWM 单通道环路控制 典型应用电路 软启动PWM电容,电容电压 同步整流开启之前，对驱 低于1V关闭输出 动器的开启点进行钳位 监控和保护 过流保护设置电阻 震荡器频率设置电阻 振荡器 高端PWM控制N沟道MOSFET 4 3 基准 PGOOD输出信号延时电容 低端PWM控制N沟道MOSFET PWM比较器 误差放大器 输出电压余量 反馈电压分压电阻 调整设置电阻 误差放大器输出 基准源输出滤波 的频率补偿网络 图 1 5V 输入 DC/DC 同步降压的应用电路 1 武汉力源信息技术股份有限公司 免费电话：800-880-8051 启动和关闭 上电复位（POR ）开启电源软启动序列。内部 10 μA