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DALSA 半导体 MEMS 制造 领导者 创造无限可能 | 提供出色性能 DALSA 半导体 | 2 引领未来发展方向 DALSA 是世界上第一流的 MEMS 纯代工厂之一。 我们的独特优势? 毫无疑问我们的独特优势在于我们拥有广泛和独有的晶圆制造的全部技 术。 通过几十年来的研究、创新和工艺开发而积累的丰富经验，使我们深刻理解 MEMS 的物理和材料学原理。 我们的 MEMS 制程模块组合 受到客户的广泛认可，为我们的客户提供真正的竞争优势。 我们的能力体现在:我们能够将客户的设计迅速、顺利地转化为量产。 只要您需要，DALSA就能凭借其丰富的经验将您的突破性设计从概念转化为现实。 我们借助独有的优化架构、性能和可靠性的能力，为各行 各业的高量产、关键任务的微系统提供服务。 DALSA 的另一项独特优势在于我们不仅具有很强的MEMS设计能力，而且具有很强的确保MEMS器件最佳性能所需的高压驱动器的设计能力。 DALSA 无与伦比的定制MEMS和 高压ASIC设计服务能提供组件或完整解决方案，让您的MEMS应用发挥最大的潜力。 凭借获得 ISO/TS 16949 认证的严格质量体系和专业的客户服务，我们为您提供量身定制的成功方案。 DALSA 为提供客户一个先进的工具箱。该工具箱包括了几十种可靠、荣获专利的制程模块和技术,以及一些卓越的增值服务：包括定制设计、测试开发和先进封装等。 3 | DALSA 半导体 Si DRIE 无水高频释放 低应力 SiN • 高蚀刻速度 (35 µm/min) • 专用配方消除 粘滞和残留 • 机械 应力 = 175 MPa • 深度达 875 µm 、高 深宽比 • 绝缘强度 4.8 MV/cm • 角度能力（例如 60° ） ISDP 厚聚合物 低温 SiO 、PECVD、SOG • 阻抗 0.65 µOhm •cm • 涂层厚度: 40 µm 2 • 低温 SiO : 300 nm – 1 µm • ISDP 应力 = -25 MPa • 开发: 宽深比 5:1 ，1 µm 特性 2 • PECVD: 100 nm – 10 µm • 应力梯度 = 3.0 MPa/µm • 高频完全释放 • SOG: 100 nm - 2.0 µm ； 高频快速释放 晶圆键合 金属和镀层