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全芯片LPE规则文件生成器
全芯片LPE规则文件生成器
EXACT为纳米半导体工艺提供最精确的互连模型,并生成全芯片版图参数提取(LPE)规则文件。EXACT的
强大三维场求解器和脚本语言支持任何全芯片寄生参数提取器。
• 强大的三维场求解器支持非平面半导体剖面图,用于精确模拟不
规则的蚀刻图、双嵌入式工艺和低k值电介质
• 三维场求解器可计算互连电容模型,生成高精确度的LPE规则文
件,而不影响其提取性能
• 直观友好的图形界面便于新手及经验丰富的工艺技术开发师进行
工艺层描述和测试结构定义
• 标准操作模式用于处理传统工艺,而高级操作模式则可用于定义
更为复杂的非平面工艺
• 强大的脚本语言可处理任何格式的数据
EXACT的前端 经保形淀积的、带有多个非平面电介质的多层金
属工艺
• 自动生成deck输入档文件,并传送至三维场求解器
易用性
• 菜单驱动的参数化版图生成器便于结构测试和图形生成
• 用LISA脚本语言简便生成LPE规则文件
• 灵活的框架便于将原始寄生数据拟合于定制方程式中,用于
xCalibre、 CalibrexRC、Diva/Dracula LPE、HIPEX
• 可预览工艺和版图
高效、多功能 • 批处理模式允许特征提取的自动运行
• 高级运行模式可让有经验的用户处理更先进的工艺模型
• 可进行电容变化的统计分析
• 电容提取表简单易懂,便于实验分析
• 提供工作表/优化器
• 支持多处理器计算机
• 可自动选择一维/二维/三维模式
第一层宽度
第一层间距
底部接地层
EXACT中生成并使用的测试结构示例 EXACT能简便生成参数化版图,用于实验设计(Design of
Experiments)中使用的任何测试结构
原始EXACT电容数据与优化拟和方程式的 交互式控制拟合的优化器窗口
结果比较
互连寄生电容建模功能:
支持先进的半导体工艺
• 支持平面和非平面电介质
• 支持低k值电介质和铜双嵌入式工艺
• 支持保形电介质淀积
• 可仿真由于光学邻近校正(OPC:optical proximity correction )引
起的次波长光刻效应
• 支持工艺变化对互连电容的影响
• 将已知工艺余量应用于
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