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第 卷 第 期 光学 精密工程 １７ ９ 　 Ｖｏｌ．１７ Ｎｏ．９ 　 　 　　 　　　　　　 Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　　　 　　　 　 年 月 　 ｐ ｇ ｇ ２００９ ９ Ｓｅ．２００９ 　 　 　 ｐ 文章编号 （ ） １００４９２４Ｘ２００９０９２１０６０６ 　 基于犣狀犛犻犗 ∶犕狀的成像器件 ２ ４ 紫外增强薄膜制备及表征 倪争技，刘 猛，张大伟，黄元申，庄松林 　 （上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室，上海 ２０００９３） 摘要：在 、 等硅基光电成像器件的光敏面镀下变频薄膜将紫外波段的光变为可见波段的光，可实现 、 ＣＣＤＣＭＯＳ ＣＣＤ ＣＭＯＳ等硅基光电成像器件的紫外响应。考虑 ＺｎＳｉＯ ∶Ｍｎ粒子直径小，稳定性好，荧光量子效率高等优点，本文用 ２ ４ “旋涂法”在石英基底上生成 ＺｎＳｉＯ ∶Ｍｎ紫外增强薄膜，并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质 ２ ４ 进行分析。实验测得薄膜在 ３００ｎｍ以下透过率极低并具有很强的吸收，在 ３００ｎｍ以上透过率很高且吸收很弱；激发峰 在 ２６０ｎｍ，发射峰在 ５２５ｎｍ，可以实现将紫外光转化为可见光。分析了ＺｎＳｉＯ ∶Ｍｎ薄膜的均匀性、厚度、稳定性等物 ２ ４ 理性质对其变频性能的影响。实验结果表明，利用 ＺｎＳｉＯ ∶Ｍｎ薄膜可以有效增强 ＣＣＤ等光电器件的紫外响应，实现 ２ ４ 光电器件的紫外探测。 关 键 词：成像器件；紫外响应； 薄膜 ＺｎＳｉＯ ∶Ｍｎ 　 　 ２ ４ 中图分类号： 文献标识码： Ｏ４８４．１ Ａ 　　 犘狉犲犪狉犪狋犻狅狀犪狀犱犪狀犪犾狊犻狊狅犳犝犞犲狀犺犪狀犮犲犱 狆 狔 犣狀犛犻犗 ∶犕狀犳犻犾犿狊犳狅狉犻犿犪犲狊犲狀狊狅狉狊 ２ ４ 犵 ， ， ， ， ＮＩＺｈｅｎｉＬＩＵＭｅｎ ＺＨＡＮＧＤａｗｅｉＨＵＡＮＧＹｕａｎｓｈｅｎ ＺＨＵＡＮＧＳｏｎｌｉｎ ｇｊ ｇ