基于金属氧化物半导体晶体管Colpitts混沌振荡电路及其.pdf

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/287304990 A Colpitts chaotic oscillator based on metal oxide semiconductor transistors and its synchronizaiton research Article January 2013 DOI: 10.7498/aps.62.208401 CITATIONS READS 0 17 4 authors, including: Chunhua Wang Hunan University 151 PUBLICATIONS 554 CITATIONS SEE PROFILE Some of the authors of this publication are also working on these related projects: chaos generation and circuit realization View project All content following this page was uploaded by Chunhua Wang on 12 January 2017. The user has requested enhancement of the downloaded file. 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 20 (2013) 208401 基于金属氧化物半导体晶体管Colpitts 混沌振荡 * 电路及其同步研究 † 王春华 徐浩 万钊 胡燕 ( 湖南大学信息科学与工程学院, 长沙 410082 ) ( 2013年4月15 日收到; 2013年7月19 日收到修改稿) 用金属氧化物半导体(MOS) 晶体管模型取代传统Colpitts 混沌振荡电路中的三极管模型, 提出了一种基于 MOS 管的Colpitts 混沌振荡电路. 通过合适的归一化方法, 得到了与基于三极管电路类似的状态模型. 平衡点的指 标说明两种结构产生混沌的机理并不相同. 然后, 通过参数反演, 得到了详细的电路参数, 并用Pspice 软件仿真得到 了混沌吸引子和混沌信号的频谱图, 说明了此结构可在低电压下工作并且能产生高频率的混沌信号. 最后, 用误差 反馈的方法实现了这种结构的同步. 关键词: Colpitts 混沌, 金属氧化物半导体晶体管, 低电压, 误差反馈同步 PACS: 84.30.Ng, 05.45.−a DOI: 10.7498/aps.62.208401 的函数; 而Colpitts 振荡器的非线性部分则由一个 1 引言 三端非线性元件组成, 电流特性则比较复杂. 虽 然在混沌理论方面, 没有任何因素限制混沌信号 众所周知, Colpitts 振荡器在实际高频压控振 的频率, 但是电信号的频率总是被电子元器件的 荡器中具有重要的作用. 在传统Colpitts 电路的应 特征频率或者寄生参数所局限. 蔡氏电路的实现 用中, 人们关注的是其简谐振荡特性, 而尽力抑制