山东天岳先进材料科技有限公司碳化硅单晶衬底.pdf

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2018-03-10 发布于天津
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山东天岳先进材料科技有限公司碳化硅单晶衬底

山东天岳先进材料科技有限公司碳化硅单晶衬底产品规格 4H 碳化硅单晶衬底山东天岳先进材料科技有限公司 SICC ScienceTechnology Co.,Ltd. 地址：济南市高新区新泺大街2008 号 Add：Room 3-409 Yinhe Building No.2008 银荷大厦3-409 Xinluo Street High-tech District Jinan 电话：0531传真：0531 Tel：0531Fax：0531 网址：www.sicc.cc 邮箱：sales@sicc.cc Website:www.sicc.cc E-mail:sales@sicc.cc 碳化硅单晶衬底产品种类碳化硅单晶衬底 4H N-型、4H 半绝缘物理性能晶型 4H-SiC 晶体结构六方禁带宽度 ~3.2eV 热导率 ~4.9W/cm ·K 2 电子迁移率 ~ 1140cm /V ·s a~3.073Å 晶格常数 c~ 10.053 Å 莫氏硬度 ~9.15 应用  SiC 同质外延：大功率器件、高温器件  GaN 异质外延：高亮度LED 、高频微波器件、雷达、卫星通讯等  石墨烯产品描述产品型号选项 S X X X X X — X A/B/C/D=翘曲度 0=On-axis