第07章半导体存储器习题解N.ppt

第7章 半导体存储器习题 ROM ROM设计 RAM 综合 6.1 ROM有哪些种类，各有何特点? ①掩模只读存储器(ROM)，即存储器中的数据由生产厂家一次写入，且只能读出，不能改写。 ②可编程只读存储器(PROM)，即存储器中的数据由用户通过特殊写入器写入，但只能写一次，写入后无法再改变。 ③可擦除只读存储器(EPROM)和(E2PROM)，即写入的数据可以擦除，因此，可以多次改写其中存储的数据。两者的不同之处是：EPROM是用紫外线擦除存入的数据，其结构简单，编程可靠，但擦除操作复杂，速度慢；E2PROM是用电擦除存入的数据，擦除速度较快，但改写字节则必须在擦除该字节后才能进行，擦/写过程约为10～15ms，当进行在线修改程序时，这个延时很明显。另外，E2PROM的集成度不够高，并且一个字节可擦写的次数限制在10 000次左右。 ④快闪存储器，这是新一代电信号擦除的可编程ROM，它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM擦除快的优点，而且具有集成度高、容量大、成本低等优点。 [题7．1]若存储器的容量为512 KX8位，则地址代码应取几位? 解：由于地址代码应当有512 X10^3个，所以若取n位地址代码，则应满足2^n≥512X10^32n-1，故应取n=19。 [题7．2]某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入／输出端，试计算它的最大存储量是多少? 解：存储器的最大存储量为232X16位=68．7X10^9位=68．7G位。 [题7．3]试用两片1024X8位的ROM组成1024X16位的存储器。 解：见图A7．3。 [题7．4]试用4片4 KX8位的RAM接成16 KX8位的存储器。 解：每一片4KX8位的RAM本身有12位地址输入代码A11-A0，可以区分其中的4096个地址。将4片的输出端和地址输入端并联后，还需要借用CS端区分4片的地址。为此，又增加了两位地址代码A12和A13，并通过2线—4线译码器将A13A12的四种取值译成Y3—Y0四个低电平输出信号，分别控制4片的CS端。电路接法见图A7．4。 [题7．5]试用4片2114(1024 X 4位的RAM)和3线—8线译码器74HCl38(见图4．3．8)组成4096X4位的RAM。 解：为了区分4片2114需要增加两位地址代码A10和A11，并且用A11A10的四种取值译成四个低电平信号分别接至四片2114的CS端。为此，可将74HCl38的输入端A2接地，同时将A11、A10接至74HCl38的输入端A1、A0，再把74HCl38的输出Y0、Y1、Y2、Y3依次接到第(1)、(2)、(3)、(4)片2114的CS，如图A7．5所示。然后再把四片2114的输出端并联，就得到一个4096 X4位的RAM。 [题7．6]试用16片2114(1024 X4位的RAM)和3线—8线译码器74HC138(见图4．3．8)接成一个8 KX8位的RAM。 解：首先按位扩展方式将每两片2114接成1 KX 8位的存储器。然后再按字扩展方式将8个1 Kx 8位的存储器接成8 KX 8位的存储器。电路接法如图A7．6所示。 [题7．7]已知ROM的数据表如表P7．7所示，若将地址输入A3、A2、A1、A0作为4个输入逻辑变量，将数据输出D3、D2、D1、D0作为函数输出，试写出输出与输人间的逻辑函数式，并化为最简与或形式。 表P7．7 解：按照从真值表写逻辑函数式的方法即可写出 D3=A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0 D2=A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0A3A2A1A0 +A3A2A1A0+A3A2A1A0 D1=A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0 D4=A3A2A1A0+A3A2A1A0 [题7．8]图P7．8是一个16 X 4位的ROM，A3A2A1A0为地址输入，D3D2D1D0是数据输出。若将D3、D2、D1、D0视为A3、A2、A1、A0的逻辑函数，试写出D3、D2、D1、D0的逻辑函数式。 解： D3=A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0 D2=A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0 D1=A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0 D0=A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0+A3A2A1A0 +A3A2A1A0+A3A2A1A0 [题7．9]用16X4位的ROM设计一个将两个2位二进制数相乘的乘法器电路，列出ROM的数据表，画出存储矩阵的点阵图。 解：设两个相乘的数为C