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第三章 工程材料的基本性能2012-3
3.3 工程材料的物理性能、化学性能 材料的物理性能-电、磁、声、光、热、熔点、密度以及热膨胀系数等。 材料的化学性能-耐腐蚀性和抗氧化性。 3.3 工程材料的物理性能、化学性能 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 3.3.2 材料的磁性质及磁性材料 3.3.3 材料的热性质 3.3.4 材料的化学性质 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 材料的电性能是材料的重要物理性能之一。导电材料、电阻材料、电热材料、半导体材料、超导材料和绝缘材料等都是以材料的电性能为基础。 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 1. 电阻率与电导率 (1)电阻R R=ρL/A,单位Ω,与被测试样的几何形状有关。 (2)电阻率ρ ρ单位Ω·m。 1. 电阻率与电导率 电阻率ρ的意义:微观水平上阻碍电流流动的度量。 电阻率ρ-表征材料导电性的重要物理量。 按照ρ值的大小与范围: 超导体:ρ→0; 导体:ρ=10-8~10-5Ω·m; 半导体:ρ=10-5~107Ω·m; 绝缘体:ρ=107~1020Ω·m。 1. 电阻率与电导率 (3)电导率σ-描述材料导电性的另一参数。 定义:物质传送电流的能力,是电阻率的倒数, 即σ=1/ρ,单位Ω-1·m-1。 电导率的决定因素: σ与材料中的载流子的密度n、载流子带的电量∣e∣和载流子的迁移速度μ的关系: σ=n∣e∣μ 2. 影响电阻率的因素 (1)温度 1)金属材料:温度越高,电阻率越高。 多数金属和合金电阻率和温度关系为: ρt=ρ20(1+αT) 其中,α为电阻温度系数;T=(t-20) ℃。除了过渡金属外,纯金属的α≈4×10-3/ ℃。 2)半导体材料:温度越高,电阻率越低 2. 影响电阻率的因素 (2)杂质元素 杂质元素增加了对电子的散射作用,使金属电阻率增大。 (2)变形 塑性变形后,金属晶体中的晶体缺陷增多,引起电阻率的增高。 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 马基申(Matthiessen)定律:ρ总=ρt+ρλ+ρd ρt-温度对电阻率的影响。 ρλ-杂质对电阻率的影响。由于在纯金属中加入少量的合金元素(杂质)增加了对电子的折射作用,使金属的电阻率增大。 ρd-形变对电阻率的影响。材料塑性变形后,金属晶体中的晶体缺陷增多,引起电阻率的增高。 -200℃以上,ρ随温度升高线性增加,斜率几乎相等;-100℃以下,杂质和变形对电阻率的影响。 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 (2)半导体材料:温度越高,电阻率反而下降 原因:温度升高材料内载流体的数目增加,表现为温度 升高,电阻率降低 本征半导体:电阻率是由纯材料本身决定的 ㏑ρ=(Eg/2kT)-C C为常数与温度无关;Eg为禁带能量宽度;k为波尔兹曼 常数。 ㏑ρ对1/T作图,得到一条直线,斜率为Eg/2k,可见Eg越大,电阻率对温度变化越敏感 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 3. 超导现象 超导现象:大多数高纯金属冷却到0K附近时,电阻逐渐减小到一个表征该金属特性的微小值。也有一些材料在很低温度下电阻突然从某个值降低到零,再进一步降温电阻保持零不变。具有这种性质的材料,称为超导体,电阻为零时的温度称为临界温度TC 超导体的特征:零电阻;抗磁性,温度处于TC以下时外加磁场完全被排除在超导体之外 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 超导现象的发现及应用: 发现:1911年荷兰的H.K.Onnes首先发现汞的超导性。铅、锡、铌钛、铌锗等金属、合金和金属间化合物具有超导性,Tc很低,约4~23.2K。 1986年,发现氧化物陶瓷超导体Ba-La-Cu-O,Tc为30K。 第一代镧系超导体:La-Cu-Ba氧化物,Tc为91K; 第二代钇系超导体:Y-Ba-Cu氧化物;Tc为92.3K的钇系超导薄膜; 第三代铋系超导体:Bi-Sr-Ca-Cu氧化物,Tc为114~120K。 1990年发现新的不含铜的钒系复合氧化物,Tc高达132K。 3.3.1 电性质及其影响因素和超导现象 应用:超导发电机、超导悬浮列车、超导输电、超导贮能 (1)超导磁悬浮列车:速度高达400一500千米/时 (2)超导计算机?:计算速度为一般大型计算机速度的100倍到1000倍 3.3.2 材料的磁性质及磁性材料 物质的磁性:抗磁性、顺磁性和铁磁性三类。 抗磁性和顺磁性材料为弱磁性材料。 工业上应用的是铁磁性和亚铁磁性材料。根据磁性材料在外磁场作用下的性能:软磁和硬磁材料。 3.3
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