薄膜电池与单晶硅电池的比较.ppt

单晶硅工艺设备 多晶硅工艺设备 非晶硅工艺设备 1 硫化床反应器 硫化床反应器 硫化床反应器 2 分馏塔 分馏塔 分馏塔 3 热解炉 热解炉 4 尾气回收系统 尾气回收系统 尾气回收系统 5 单晶炉 多晶硅浇铸炉 TCO沉积炉 6 硅棒切断机 破锭机 激光切割机（3台） 7 滚圆机 磁控溅射系统 8 线锯切方 切方机(多线切割机) 玻璃清洗机 9 线切片机 线切片机 喷沙去边机 10 硅片清洗 硅片清洗 11 硅片检测与分类 硅片检测与分类 12 石英坩埚制备 石英坩埚制备 13 石墨制备 石墨制备 14 硅片清洗与织构化（三次） 硅片清洗与织构化（三次） 15 等离子去边机 等离子去边机 16 扩散炉 扩散炉 17 丝印机（3台） 丝印机（3台） 18 PECVD设备 PECVD设备 PECVD设备 19 烧结炉 烧结炉 老化炉 20 分选机 分选机 分选机 21 自动焊接机 自动焊接机 超声焊机 22 层压机 层压机 层压机 23 测试台 测试台 测试台 晶体硅电池设备 与 非晶硅电池设备 的比较 非晶硅电池与晶体硅电池工艺比较 单晶硅 多晶硅 非晶硅 氢氯化工艺 氢氯化工艺 氢氯化工艺 分馏工艺 分馏工艺 分馏工艺 热解(1100oC) 热解(1100oC) 尾气回收 尾气回收 尾气回收 拉单晶(1400oC) 浇铸（1400oC ） 断头，切方 破锭 切片 切片 3（RCA） 3（RCA） 1（玻利清洗） CVD沉积TCO膜（400oC） 扩散(850oC) 扩散(850oC) PECVD （350oC） PECVD （450oC） PECVD （180oC） 磁控溅射 丝网印刷 丝网印刷 激光切割（3次） PECVD去边 PECVD去边 喷沙去边 烘干（X3：200oC） 烘干（X3：200oC） 烧结（200~800oC） 烧结（200~800oC） 老化（180oC） 分选 分选 焊接 焊接 汇流焊接 层压（150oC） 层压（150oC） 层压（150oC） 测试 测试 测试 非晶硅电池与晶体硅电池工艺比较 晶体硅电池 非晶硅电池 4次温度超过800oC的高温过程 5次温度低于400oC的低温过程 4次温度低于400oC的低温过程 5次进入真空系统 3次进入真空系统 3次硅片RCA清洗工艺 1次玻璃清洗工艺 处理样品尺寸：125x125、156x156、200x200mm2 处理样品尺寸：0.78m2、1.2m2 晶体硅太阳电池特点：高耗电能、高耗水、高耗人力；处理样品尺寸较小：对于设备均匀性要求较低 非晶硅太阳电池：大尺寸样品，真空系统要求高 * 考虑到非晶硅太阳电池及相对小的温度系数，在较高温度环境中Pm下降较小，可以多在气温较高的地区推广应用； 考虑到非晶硅太阳电池对低光强有较好的适应，所以，在日照不是很好、或水汽较大的地区可以多使用非晶硅太阳电池。 * * * * * * * * * * 薄膜太阳能电池与晶体硅电池 特点比较 * 工作温度60℃ -75℃下薄膜电池发电量比晶体硅多10-12% A. * 工作温度60℃ -75℃下薄膜电池发电量比晶体硅多10-12% 环境气温28 ℃= 板工作温度75 ℃ 日本SANYO公司评测报告显示： 1000W 太阳能电池因温度上升所引起的功率下降对比表 非晶硅薄膜电池 其他晶体硅电池 温度 （0C） Pmax （W) Pmax (W) (Sanyo HIT) Pmax (W) (Other c-Si) 50 943 913 888 60 920 878 842 70 897 843 798 75 886 826 775 80 874 809 752 temp. coeff.: -0.227%/ 0C Temp. coeff.: -0.348% /0C Temp. coeff.: -0.45% /0C, BestSolar 由德国权威TUV评测报告显示： 工作温度75℃下薄膜电池发电量比晶体硅多 (886-775) / 775 = 12.5% 中国西北地区(青海/新疆等地区)全年平均气温 资料提供:国家气象局发布气象数据 薄膜电池全年总发电量比晶体硅多 6~8% 1000W 太阳能电池全年发电量对比 非晶硅薄膜电池 其他晶体硅电池 月份 平均温度 工作温度(白天) Pmax （W) Pmax (W) (Other c-Si) 12~2 -10-4 ℃ 8 ℃ 986 971 3~5 2-14 ℃ 20 ℃ 972 939 6~8 16-24 ℃ 70 ℃ 897 798 9~11 18-0 ℃ 45 ℃ 954 910 由西北地区全年气温数据评测出: 薄膜电池抗辐射性能远强于晶体硅 B. 薄膜电池抗辐射性能远强于晶体