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MOSFET工艺流程简介.pdf

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MOSFET工艺流程简介

MOSFET工艺流程简介 Mosfet学习资料 myung_yao 工艺说明:Lot in NO. Operation condition Equipment 1 打标 Mark-II 打标目的主要给硅 片编号,包括批号和 片号。 不能太深,否 则激光轰击时 H-V:Sb dopant. 产生过多颗粒 L-V:As dopant N-Epitaxy N+Substrate 使用SiO2层作为背 封层 Thickness Substate dopping EPI dopant 625um 0.015 Ω–cm Ph Confidential GuoYu Semiconductor co.,Ltd NO. Operation condition Equipment 工艺说明:F-OX 2 前处理 SC1+SC2 清洗台 场氧生长后,起到分压环 3 F_OX 1000C Furnace 场板的作用. 4 膜厚测定 NANO Spec 膜厚控制中, 样片不需要 清洗,测试时测量上、中、 下、左、右5点 F_ox N-Epi 10000+500A, 采用湿法生长 Confidential GuoYu Semiconductor co.,Ltd NO. Operation condition Equipment 5 HMDS 工艺说明:RIN 6 匀胶 coating coater 光刻主要开出保护 7 曝光 RIN align Stepper 环图形 8 显影 Develop 9 检验 ADI Inspector 先行片需检查9点, 观察图形线条,注意 整批检查需查看5点. 有无CD超标现象 PR PR

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