PECVD异常处理.ppt

日程 单击此处编辑母版标题样式 2.1、已刻划导电玻璃的清洗异常； 2.1.1、判断：TCO面有水痕、水印、污痕、不明异物等； 2.1.2、处理操作：重新清洗操作，正常继续作业，异常重复，停止作业，检查水箱的洁净度，若已被脏物污染，冲洗水箱后，检查风刀温度是否正常，若温度不够，空转运行设备，对水槽的水加热，直到温度到达设定值，重新清洗操作，正常继续作业，异常重复，停止作业，检查喷淋管道喷水是否正常，检查滚刷是否运转正常等，寻求技术部门和设备组解决。 2.2、工件架硅粉或其他粉尘过多； 2.2.1、判断：检查出炉的电池芯片表面的硅粉数量，可以用手电筒侧面照射电池芯片半成品的膜面，如果表面上能观察到非常多颗粒状的硅粉，就应该对工件架进行处理，硅粉过多影响激光刻划的工件架认为异常； 2.2.2、处理操作：对工件架做彻底的清洁保养（拿去水洗）； 2.3、真空室预抽异常； 2.3.1、判断：准备就绪后主操作手选好单双结程序，点击启动与执行，此时副操作手检查沉积室门是否有漏缝，以判断沉积室是否被抽上真空，主操作人员通过复合真空计的显示值以判断沉积室是否被抽上，6 秒内仍有腔室真空压力仍然没有下降趋势判断为真空室异常； 2.3.2、处理操作：检查门是否锁紧、是否有漏缝，如果门上有漏缝就挤压或推动腔室门，使其合上，待在这次沉积结果后通知设备调节门轴四个螺钉使其能自动抽上；若经过多次尝试还不能抽上真空，停止、通知、等待设备或技术部门人员的处理，若短时间（15分钟以上）内设备或技术部门人员无法到达现场，将工件架转送至预热炉升温与保温。 2.4、射频电源异常不能正常启辉光 2.4.1、判断 A：当真空室沉积压力到达设定值，3分钟后仍然没有启辉光，判断为设备异常；B：工艺气体通入真空室3分钟后仍然无法达到沉积设定压力，判断为 MKS变通导阀异常； 2.4.2、处理操作：A：若到达沉积压力未启辉光，检查RF通讯是否故障，是应停止自动程序，关闭特气，记录沉积步骤，通知、等待技术部门解决。B：若无法达到沉积压力导致无法正常启辉，是应停止自动程序，关闭特气，记录沉积步骤，通知、等待技术部门解决。 2.5、流量异常 2.5.1、判断：检查沉积过程中的实际流量与设定值差异，误差超过±150SCCM（在界面上我们只能看到实际流量与设定流量的差值），当差值超过±150SCCM时，它的字体颜色会变成over limit红色一闪一闪，当为异常时可记录在PECVD品质跟踪单上。 2.5.2、处理操作：在气体通入沉积室时须要稳定沉积压力值，时间为10秒左右之后才开始启辉，当判断为异常时，可按停止按键开始自动Ar吹扫，并开始察看气路柜与特气房的手动阀，察看气瓶的高压值与低压值，如果是手动阀被关闭或压力值不够，须找明原因方可做工艺，在未沉积任何膜时可在Ar清洗后接着做自动沉积，如果已沉积了某层，可记录相关信息，停止自动程序通知技术部门，等待解决。 2.6、电源反射功率异常 2.6.1、判断：反射功率超过80W认为异常； 2.6.2、处理操作：手动调节匹配电容，若仍然无法将其匹配至正常范围，关闭辉光继续操作，在品质跟踪单上记录异常情况，并在此次沉积的后续工艺中同样关闭此电源，若多次沉积该电极的反射功率仍过高，则需通知设备部分对该电极进行检修。 2.7、真空室危险气体泄露 2.7.1、判断：打开真空室时白烟、着火、浓重的异味等； 2.7.2、处理操作：保持冷静，现场所有人员一起操作，一人迅速关闭主机控制的所有气动阀门，其他人迅速关闭气路柜里除N2、Ar 外其它所有特气手动阀门，保证切断一切危险气源，如果条件容许，迅速关闭真空室的门抽上真空，若一时无法控制，通知车间的领导，疏散车间人员，所有人员撤离PECVD车间，通过玻璃窗观察车间情况，等待技术部门和设备组解决，如果火势较大，可先进行灭火操作，注意人身安全。 2.8、断电 2.8.1、判断：系统所有电力供应中断； 2.8.2、处理操作： A，此时所有气动阀门默认为自动关闭，如果正在沉积，那么自动程序停止，须记录当前的沉积的详细状态，迅速通知设备组进行电力抢修。 B，如果短时间（20分钟）内电力能够恢复，关闭RF电源的开关，关闭系统主控制柜的主电源，防止电力恢复后对电力系统或设备有较大的冲击。在电力恢复后按正常开机步骤开机。 C，较长时间的电力无法恢复，关闭RF电源的开关，关闭系统主控制柜的主电源，锁紧真空室的门，等待设备或技术部门到场决定如何处理操作。 D，特气房所有用压缩空气的设备都会自动关闭，当电力系统恢复后，须去确认供气源的气动阀是否正常开启，可查看总供给压缩空气装置的气压，或者通过腔室内排气来确认特气气路是否顺畅。 2.8.3、注意：当我们的供电系统恢复后须检查当前设备的状态，包括供气的设备