半导体物理讲稿.ppt

实验一 MOS结构高频C—V特性测试 一、实验目的 1．熟悉Agilent 4284A的基本功能和使用方法。 2．掌握P型（或N型）半导体MOS结构的高频C-V特性及其测试方法。 3．掌握利用高频C-V特性曲线得出二氧化硅层厚度及衬底掺杂浓度的方法。 二、实验器材 1．Agilent 4284A 1台。 2. 测试台。 3．元器件：9926AMOS管等。 4. 导线若干 三、实验内容和步骤 实验内容： （1）测量MOS结构高频C—V特性。 （2）确定二氧化硅层厚度。 （3）确定衬底掺杂浓度。 实验步骤： 1.在固定栅压上加一个高频的小信号（1MHz） 2.缓慢的改变栅压（从负值变到正值），测出高 频的C-V特性。 3.从高频的C-V特性曲线上得出Ci和Cm，从而根 据公式求出氧化层的厚度di和掺杂浓度NA或 ND(也可以查表获得)。 五、实验报告要求 1． 整理实验结果，打印测量结果曲线。??? 2． 小结实验心得体会。??? 3． 回答思考题。??? 高频C-V特性曲线为什么跟想象的不一样？ 实验二 MOS结构准静态C—V特性测量 一、实验目的 1．进一步熟悉Agilent 4284A的基本功能和使用方法。 2．掌握MOS结构的高、低频C—V特性的测量方法。 3．学会利用高、低频C—V特性曲线确定界面态密度及其分布。 二、实验器材 1．Agilent 4284A 1台。 2. 测试台。 3．元器件： 9926AMOS管等? 4. 导线若干。 三、实验内容和步骤 实验内容： （1）测量MOS结构的高、低频C—V特性。 （2）确定界面态密度及其分布。 四、实验步骤： 1、在固定栅压上加一个高频的小信号（1MHz）。 2、缓慢的改变栅压（从负值变到正值），测出高频的C-V特性 3、在固定栅压上加一个低频的小信号(100Hz)。 4、缓慢的改变栅压（从负值变到正值），测出低频 的C-V特性 5、从准静态C-V特性曲线上得到含有界面态的MOS结 构的电容CL，以及二氧化硅层电容Ci，再根据高频 无界面态的电容CC, 从而通过进一步的计算得出界 面态密度Nit(Vs)。 五、实验报告要求 1． 整理实验结果，打印测量结果曲线 2． 小结实验心得体会。 实验时间安排： 周一上午实验培训 一下午，晚上做试验（1） 午，下午做试验（1） 周三上午做试验（1） 时间上午8:30~11:30 下午2:30~5:30 晚上：8:00~11:00 地点：科研楼一层东侧 谢 谢 * 半导体物理实验 张国军, CL,为存在界面态时的电容，Cc高频时的电容值（无界面态时的电容） *