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半导体CMP制程简介
Introduction of CMP;目录;CMP 发展史;
CMP制程的全貌简介;CMP 机台的基本构造 (I);CMP 机台的基本构造(II);Mirra 机台概貌;Teres 机台概貌; 线性平坦化技术;Introduction of CMP; 研磨皮带上的气孔设计(Air-belt design);F-Rex200 机台概貌;终点探测图 （STI CMP endpoint profile）;为什么要做化学机械抛光
（Why CMP）?;没有平坦化之前芯片的表面形态;没有平坦化情况下的PHOTO;各种不同的平坦化状况;平坦化程度比较;Step Height（高低落差） Local Planarity（局部平坦化过程）;初始形貌对平坦化的影响;CMP 制程的应用;CMP 制程的应用;STI Oxide CMP;所谓Oxide CMP包括ILD(Inter-level Dielectric)CMP和IMD (Inter-metal Dielectric)CMP,它主要是磨氧化硅(Oxide),将Oxide磨到一定的厚度，从而达到平坦化。
Oxide CMP 的前一站是长Oxide的CVD区，后一站是Photo区。;W（钨） CMP流程-1;POLY CMP流程简介-2a;ROUGH POLY CMP 流程-2b;CMP耗材 ;CMP耗材的种类;CMP耗材的影响;Introduction of CMP;Introduction of CMP;Introduction of CMP;Introduction of CMP;~End~
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