汽车电工电子技术基础第六章 半导体器件及运用.ppt

螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管 可控硅的外观 2）晶闸管的功能及特点 （1）A、K间加反向电压截止，加正向电压在有G信号许可之后导通。 （2）A、K之间导通之后，G信号失去作用。 （3）要使导通的晶闸管截止：①A、K间加反向电压；② A、K间的正向电压低到一定程度。 主回路 控制回路 （带负载的回路） a图主回路电压极性正确，控制回路没给触发信号，不导通 b图主回路电压极性正确，控制回路给了触发信号，导通 c图主回路电压极性接反，不导通 3）晶闸管的参数 晶闸管的主要参数有额定正向平均电流和额定正向（或反向）阻断峰值电压两项。 如KP100-16表示：KP系列，100A，1600V。 选用晶闸管时，应使其额定正向平均电流是电路正常电流的1.5～2倍；额定阻断峰值电压应为工作时实际电压峰值的2～3倍。 6.5集成电路 利用平面工艺技术（光刻、掺杂、扩散、掩膜），把具有一定功能的电路的元件以及元件之间的连线，集中制作在一小块半导体硅片上，就成为集成电路。 6.5.1集成电路的外形和结构 1.外形 有双列直插型、单列直插型、扁平型、圆筒形等等。 2）类型 薄膜型 按制造工艺分 厚膜型 混合型 模拟电路 按功能分 数字电路 微波电路 小规模 按集成规模分 中规模 大规模超大规模 6.5.2集成电路引脚的识别 1、第一脚的标记：管键、缺口、圆点。 2、数脚的方向：型号面朝向自己：反时针。 本章内容总结 一、本章内容总结 物体按导电性能分3类：导体、绝缘体、半导体 半导体3大特点：热敏性、光敏性、杂敏性 半导体导电的特点：电子、空穴同时导电 半导体两大种类：本征半导体、杂质半导体 杂质半导体两大种类：P型半导体、N型半导体 PN结的形成要点：多子扩散与少子的漂移达到动态平衡时，PN交界面形成的厚度稳定的空间电荷区就是PN结 PN结的重要特性：单向导电特性 二极管实质上就是一个PN结 二极管的伏安特性是PN结的外特性（实际特性），其正反向特性各分截止和导通两个区（但取名和意义不同） …… P P N E B C P N G 控制极 K 阴极 阳极 A P1 P2 N1 N2 K G A 三 个PN  结 两 层 半 导 体 四 层 半 导 体 阳极 K 阴极 一个PN结 两个PN结 三 层 半 导 体 E C B 二、作业布置 教材作业中关于晶闸管、集成电路部分。 一、选择题 4 二、判断题 5 三、简答题 3、4 * * * * * * 请记住： 三极管工作在放大状态时的偏置状态为：发射结正偏，且UBE ≈0.7V。集电结反偏。 三极管放大状态时偏置电压的图示如下： PNP管 NPN管 正偏0.7V 正偏0.7V 反偏 反偏 3）饱和区 在曲线上的位置： 饱和区是三极管特性曲线族上，各条曲线转折点的连线与纵轴之间围成的区域。 在该区域工作的三极管有如下特性：【3】 ①电流特性（与放大区的情况刚好相反） IC电流不随IB电流的变化而变化，即IB电流对IC电流没有控制作用。 IC电流主要受UCE的影响，几乎是一种正比例的关系。 总起来就一条，即：集电极电流主要受UCE影响，集电极电流的大小正比于UCE大小。 ②电压特性： UcE电压值在此时较低，近似为0V，一般硅管约0.3V，锗管约0.1V，称为三极管的饱和压降。故C、E电极之间呈现低电阻状态，在某种情况之下可以等效为一只闭合的开关。 UcE电压值在此时较低，这一特点在曲线中显而易见。 请记住： 三极管在饱和状态时其CE间电压很低，近似0V。 ③两个PN结的偏置状态 在饱和状态，三极管三个电极都有电流，且不算小。因此发射结肯定要处于正偏状态。而集电结此时已经转变了角色，不再是收集从发射区过来的载流子，他要自己反射载流子产生电流，因此集电结也要正偏。也就是说： 在饱和状态下，三极管的两个PN结都处于正偏。UBE=0.7V，UCE=0.3V是其重要特征。 三极管饱和状态时偏置电压的图示如下： PNP管 NPN管 正偏0.7V 正偏0.7V 0.3V 0.3V 正偏 正偏 小结（知识重组----表格） 表1：三极管三种工作状态的各极电流特征 各极电流 工作状态 IB IC IE 截止 0 0 0 放大