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共集电极电路 共基极放大电路 第四章 集成运算放大器 组成：输入级、中间级、输出级、偏置级 各级作用： 各级电路组成： 运放中恒流源的作用： * 第一章 半导体器件 分类： 纯净半导体、杂质半导体（P型、N型） 基本概念： 自由电子与空穴、扩散与漂移，复合、PN结及其单向导电性 主要特点： 受温度影响大 一、常用半导体器件 例1 P型半导体中，多数载流子是（ ） A. 自由电子 B. 负离子 C.空穴 D. 正离子 C 例2 在本征半导体中加入（ ） 元素可形成N型半导 体，加入（ ）元素可形成P型半导体导体。 A. 五价 B. 四价 C.三价 A C 例3 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C.减少 A 例4 PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 不变 C.变宽 A 例5 PN结未加外部电压时，扩散电流（ ）漂移电流。 A. 小于 B. 等于 C.大于 B 二、二极管 阳极 阴极 + - u i O u U (BR) 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 2. 主要参数 Uon 开启电压 Uon U(BR) 反向击穿电压 IS 反向饱和电流 IF 最大整流电流 最高反向工作电压UR 第一章 半导体器件 3. 二极管的等效模型 U U rd 理想二极管 例1 二极管的正向电阻（ ），反向电阻（ ）。 A. 小 B. 大 A B 例2 利用二极管的( )可组成整流电路及限幅电路。 A. 正向特性 B. 反向特性 C.单向导电性 C 例3 温度升高时，二极管的反向伏安特性会( )。 A. 上升 B. 下移 C.不变 B [1.3] 电路如图所示，设ui=5sinωt V，二极管导通压降0.7V，试绘出输入和输出电压的波形和幅值 + ui - 3V R D1 + uo - 3V D2 解： ui ? 3.7V D1导通、 D2截止 uo=3.7V ui?-3.7V D1截止 、 D2导通 uo=-3.7V ui?3.7V -3.7V? D1截止 D2截止 uo=ui A B C VA=3V VB=-3V VC= ui ui/V ωt o 5 uo/V ωt o 3.7 3.7 -3.7 -3.7 [1.4] 电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流的有效值 二极管的动态电阻 解：（1）静态分析 令ui=0 则流过二极管的直流电流 ID ＝（V－UD）/R＝2.6mA （2）动态分析 2V电压源相当于短路 故流过的动态电流Id＝ui/rd≈1mA rd≈UT/ID＝10Ω u i IZ IZM ?UZ ?IZ UZ uUZ时作用同二极管 u增加到UZ 时，稳压管击穿，反向导通，两端电压在一定范围内能保持不变 (a) 三、稳压管 一种特殊的二极管 例1 稳压管必须工作在( )状态下，才能够稳定电压。 A. 正向导通 B. 反向截止 C.反向击穿 C [例2] 稳压管的稳定电UZ=6V, 最小稳定电流IZmin=5mA, 最大稳定电流IZmax=25mA, 负载电阻RL=500Ω。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会 出现什么现象?为什么？ 第一章 半导体器件 四、晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放 大 条 件 内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = βIB IE = (1 + β ) IB 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 饱 和 区 截止区 放大区 条 件 电流