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关于射频微波去嵌入技术的调研 在微波射频电路中，一个不可避免的问题就是测量电路或者器件的参数，由于高频电路的特殊性，对于器件参数的测量要求很苛刻，为了使测量的指标和实际的情形十分接近，我们需要考虑很多因素对测量系统的影响，其中最重要的因素之一就是夹具的去嵌入问题，下面就国内外在去嵌入技术上的重大突破做一下调研。 对于微波有源器件建模和性能特性测量,矢量网络分析仪发挥了重要作用,以矢量网络分析仪为核心的有源器件和MMIC自动测试系统得到了快速发展。矢量网络分析仪等测量仪器的测试端口或者参考面一般为标准同轴连接器或波导,如3.5mm和2.4mm 同轴连接器,有源器件如微波晶体管、场效应管和二极管等一般为未封装的管芯或梁式引线封装,在被测有源器件和测量仪器之间必须引入测量夹具予以转换。测量夹具的引入解决了有源器件的直流偏置、信号激励与检测的问题,但同时引入了测量误差,去除有源器件测量夹具引入的误差必须进行去嵌入运算。 矢量网络分析仪测量有源器件事先必须进行测量校准,一般在矢量网络分析仪的同轴测量端口或波导测量端口采用OSLT校准方法或TR L校准方法进行校准,可以去除矢量网络分析仪本身的系统误差,从而提高测量精度;另一种测量校准方法就是在测量夹具上进行测量校准, 如TRL、LRL、LRM、TOM、SOLD和OSL等校准方法，这些校准方法都有一个共同的特点就是需要一个微带或共面波导等平面传输线制成的校准件,把测量夹具引入的误差作为整个矢量网络分析仪的系统误差,通过在微带或共面波导参考面上进行测量校准和误差修正和误差修正予以剔除。 微带型或共面波导型校准件存在两个方面的问题:一是微带型或共面波导型校准件制作工艺比较复杂,性能指标难以提高;二是微带型或共面波导型校准件定标问题一般单位难以解决,现有的测量手段只能解决具有同轴或波导参考面的部件和组件测量问题,无法满足微带和共面波导等平面传输线校准件的定标要求。鉴于这些原因有源器件测量夹具的去嵌入问题,一直是有源器件建模和测量领域研究的热点问题。 在有源测量夹具完全对称的假设下,提出了一种无需在微带或共面波导等平面传输线参考面上进行校准的去嵌入方法,这种方法的优点就是不需要微带或共面波导校准件,只需要用常用的同轴或波导校准件在同轴连接器或标准波导参考面上进行测量校准和误差修正即可达到去嵌入的目的。通过理论研究和试验研究, 可以看出这种去嵌入方法可以满足一般工程测量要求。 尽管该方法只能适应于结构对称的测量夹具, 但在工程实现的过程中保证夹具对称性还是有可能的, 具体措施就是在测量夹具设计图纸上保证结构对称性, 尤其是电长度保持一致, 采用相同夹具材料, 通过控制物理尺寸和公差, 就可以保证测量夹具的对称性。由于时间关系此次实验没有在测量夹具对称性方面花费太多精力, 进一步工作在改进算法和保证测量夹具对称性方面做更深入的研 究; 通过选择更多的实验样品包括对晶体管和场效应管等有源器件进行实验, 对去嵌入方法的有效性和测量误差进行深入研究和分析. 希望研制出通用的测量夹具, 解决测量夹具设计制造问题, 逐步形成系列化产品, 在有源器件测量和夹具去嵌入算法研究方面进一步提高工程化和实用化水平, 在测量仪器、测量夹具和测量控制软件等方面提供成套的解决方案。 在射频微波领域，我们测试一个器件各项参数的最大的挑战之一，是如何消除有害的夹具效应。不消除这一效应，就无法得到被测器件的精确特性。这导致即使器件性能再好，也只能得到较低的产品规格。目前有三种消除夹具效应的技术：建模，去嵌入和直接测量。夹具和被测件（DUT） 的相对特性决定了需要哪种水平的校准来满足必须的测量精度。去嵌入用来去除不需要的夹具效应，对于有着标准同轴连接器的器件是容易精确测量其S 参数的，但是对于微带片滤波器就需要专门的测试夹具。去嵌入包括SOLT,TRL等技术。现就SOLT技术在去嵌入中的应用调研。 随着通信、雷达、电子对抗等高新技术的发展, 对系统的小型化、低成本、高可靠性等要求愈来愈高, 而系统的全固态化是实现要求的根本途径, 因此单片微波集成电路(MMIC) 在当今电子业的巨大推动下得到了迅速发展。目前微波固态电路的设计多使用EDA,其中器件测试方法的准确度直接影响到模型库的建立, 并进一步关系到产品的成本、生产周期和数据监测等问题。在片测试技术是一种应用于MIc 研究与生产的新型测试技术, 它省去封装所带来的影响。但由于MIc 的器件尺寸很小, 因此仍需要小型化集成化的测试夹具, 并且随着以GaAs、InP 材料为代表的高速器件的发展, 使MIC 的工作频率大大提高, 因此对有源及无源器件的精确测量提出了更高的要求, 尤其是要排除测试夹具的影响, 即解决好去嵌入问题。 对于MMIC 通常的去嵌入方法是采用等效电路来表征夹具参数,