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（2）磁电特性 测试电路按图示连接，在弱磁场(B=0.1T以下)时输出电压变化量与磁感应强度成线性关系，随磁场的增加曲线趋向饱和。 正向磁灵敏度大于反向磁灵敏度。 ΔU/V T/℃ 0 20 40 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 E=6V B = 0.1T 80 60 -20 I/mA -5 -4 -3 -2 -1 I 磁敏二极管温度特性曲线 (单个使用时) ΔU （3）温度特性 温度特性是指在标准测试条件下，输出电压变化量 ?U或无磁场作用时两端电压U0随温度变化的规律。 （3）温度特性 磁敏二极管受温度的影响较大。反映温度特性好坏，可用温度系数表示。 硅磁敏二极管在标准测试条件下，U0的温度系数小于±20mV／℃，?U的温度系数小于0.6%/℃。 而锗磁敏二极管U0的温度系数小于-60mV／℃，?U的温度系数小于1.5%/℃。 规定硅管的使用温度为-40～＋85℃，而锗管则现定为-40～＋65℃。 （4）频率特性 dB 0.1 -12 -9 -6 -3 0 10 1 0.01 锗磁敏二极管频率特性 f/kHz （4）频率特性 硅磁敏二极管的响应时间，几乎等于注入载流子漂移过程中被复合并达到动态平衡的时间。所以，频率响应时间与载流子的有效寿命相当。 硅管的响应时间小于1μs ，即响应频率高达1MHz。 锗磁敏二极管的响应频率小于10kHz。 （5）磁灵敏度 磁敏二极管的磁灵敏度有如下几种定义方法。 电压相对磁灵敏度（hu）， (a) 在恒流条件下，偏压随磁场而变化的电压相对磁灵敏度（hu）为，即： u 0—磁场强度为零时，磁敏二极管两端的电压； u B—磁场强度为B时，磁敏二极管两端的电压。 (2)不等位电势U0及其补偿 补偿方法 工艺上采取措施降低U0； 采用补偿电路加以补偿。 (3)寄生直流电势 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出除了交流不等位电势外，还有一个直流电势，称寄生直流电势。交流零点偏离零V电位。 大小与工作电流有关，随着工作电流的减小，直流电势将迅速减小。 寄生直流电势是霍尔元件零位误差的一部分。 寄生直流电势的应用： 交流采样电路的设计。 (3)寄生直流电势 产生原因 元件的两对电极不是完全欧姆接触而形成整流效应， 以及两个霍尔电极的焊点大小不等、热容量不同引起温差所产生的。 补偿方法 元件制作和安装时，应尽量使电极欧姆接触，并做到散热均匀，有良好的散热条件。 对比： 不等位电势和寄生直流电势的区别 不等位电势： 控制电流I恒定，B=0 寄生直流电势： 控制电流I交变，B=0 (4)感应电势及其补偿 霍尔元件在交变磁场中工作时，即使不加控制电流，由于霍尔电势的引线布局不合理，在输出回路中也会产生附加感应电势，其大小不仅正比于磁场的变化频率和磁感应强度的幅值，并且与霍尔电势极引线所构成的感应面积成正比。 (4)感应电势及其补偿 补偿方法 合理布线； 在磁路气隙中安置另一辅助霍尔元件。如果两个元件的特性相同,就可以起到显著的补偿效果。 (5)温度误差及其补偿 一般半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度等都随温度而变化。 霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电动势变化，产生温度误差。 输入输出电阻随着温度变化，引起控制电流I的变化。所以采用恒流源是个有效的办法。但是KH也随着温度变化， (5)温度误差及其补偿 减少温度误差的措施： 1. 采用温度系统小的元件，如砷化铟。 2. 恒温措施。 3.恒流源。采用恒流源供电可以减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化。霍尔元件的灵敏度系数kH也是温度的函数，采用恒流源后仍有温度误差。不能完全解决霍尔电势的稳定问题。 4. 并联补偿电阻r0. (5)温度误差及其补偿 当温度T上升时，霍尔元件的内阻增加，导致流过霍尔元件的电流减小。如果用恒流源，则可以抵消内阻变化引起的电流变化。如果采用并联补偿电路的方法，那么并联r0后，相当于等效电阻减小，那么电流增加，起到温度补偿的作用。 (5)温度误差及其补偿 5. 采用热敏电阻Rt（具有负温度系数），电阻丝（具有正温度系数）进行温度补偿。 使用时要求这些热敏元件尽量靠近霍尔元件，使它们具有相同的温度变化。 (5)温度误差及其补偿 a)输入回路中接热敏电阻 b)输入回路并接电阻丝 c)输出端串接热敏电阻 d)输入端并接热敏电阻 7. 应用 根据UH和I和B的关系，霍尔元件的用途分为： 1. I恒定，输出正比与磁场，测量恒定或者交变磁场，比如高斯计。 2. B恒定，输