富士混合型SiC模块应用手册-FujiElectric.PDF

富士混合型 SiC 模块 应用手册 Fuji Electric Co., Ltd Dec. 2017 MT5F36768 混合型 SiC 模块 应用手册 第 1 章 ‐ 基本概念与特征 ‐ 目录 页数 １ 混合型 SiC 模块的基本概念 ･･････････････････････････ 2 ２ 混合型 SiC 模块的特征 ･･････････････････････････ 2 ３ 混合型 SiC 模块的开关时间定义 ･･････････････････････････ 6 前言 与 Si 器件相比，SiC 器件具有耐热性和耐高压击穿能力的特点，被认为有能力实现设备的高效率化和小型 化。富士电机已经将 600V～3300V 耐压的混合型 SiC 模块产品化，作为逆变器用的功率器件，将更有助于节 能。 混合型 SiC模块结合了 Si-IGBT 芯片和 SiC-SBD（Schottky Barrier Diode）芯片。与传统的 Si 模块相比， 混合型 SiC模块特性得到了更进一步的改善。 本章将对混合型 SiC 模块的特征和优点进行详细介绍。 1 MT5F36768 应用手册 －混合型 SiC 模块－ １ 混合型 SiC 模块的基本概念 为了防止全球变暖，包括 CO 在内的温室气体的减排变得越来越必要。其中削减手段之一就是电力电子设 2 备的节能化。实现这一点的重要方式是逆变器的高效率化和小型化，随着电路控制、功率器件等技术的创新， 这一方式成为可能。 在实现低损耗需求的功率器件中，具有代表性的是 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），它采用 了 Si 的IGBT 芯片和 Si的 FWD（Free Wheeling Diode）芯片。但是，Si器件的性能已经接近了其物理理论 极限。因此，超越了 Si 极限值的拥有耐热性和耐高压击穿能力的 SiC 器件，有望实现设备的高效率化和小型 化。