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公職王歷屆試題 (97 台電新進職員甄試) 經濟部所屬事業機構 97年新進職員甄試試題 類別：儀電 科目：電子學、控制系統 壹、簡答題： 一、在金氧半場效電晶體（MOSFET）的元件中： 何謂次門檻電流（Sub-threshold current）？ 此作用在動態隨機存取記憶體（DRAM）電路的應用上有何種影響？ 【擬答】： 當增強型MOSFET在V V  時，則汲極電流為0，但若 V 之大小很接近臨界電壓 GS T GS （VT ）時，會有一個很小的汲極電流，此一電流稱為次門檻電流（sub-threshold current） 在 V V  時，MOSFET元件為截止，但因仍有少量的汲極電流，使得 DRAM的應用上本應 GS T 內部儲存的電荷有漏失之虞。 二、在電晶體放大器應用電路中： 何謂電容的米勒效應（Milller effect）？ 所產生的米勒電容（Miller capacitance）對電路造成何種影響？ 【擬答】： 如圖所示： 若有電容 C接於輸入與輸出之間，此一電容會產生米勒效應。 在高額電路中，經過 Miller效應產生的CM 1 與CM 2 分別為： C(1 K) C M 1 1 CM 2 (1 ) C K 因此容抗降低，放大器的增益亦會下降。 三、請問BiCMOS電路有何優點？ 【擬答】： 結合CMOS高輸入阻抗與低功率損耗之優點 結合BJT高驅動電流與高速之特性 可以直接驅動其他邏輯族 不受負載電容與電阻性負載之影響 四、何謂爾利效應（Early effect），以及其對電晶體所產生之影響，請簡述之。 【擬答】： 電晶體操作於作用區時，集極接面為逆向偏壓，若逆向偏壓愈大則基極的有效寬度將變小， 而使集極電流（I C ）增加，稱為爾利（Early）效應。主要之影響有三： 值將隨 VCB的增加而變大。 基極區的少數載子濃度會隨距離量變化而增加。 一旦基極的有效寬度為零，會產生穿透（punch-through）現象 共 9 頁 第 1 頁 全國最大公教職網站 .tw 公職王歷屆試題 (97 台電新進職員甄試) 五、霍爾效應（Hall effect）在半導體應用上，可測得什麼？ 【擬答】：可測得下列參數： N型或P型半導體 載子濃度 載子移動率 電阻率 貳、計算題： 一、圖1顯示二極體電路及輸入波型，其中二極體之切入電壓0.7V ，內阻r 0 ； r f 請畫出輸出波型 請畫出輸出入電壓的轉換特性圖 假設輸入  4V時，請求得電流 i 大小？ I Ri （圖1） 【擬答】： V 5.4V 時， D順偏， D逆偏，則 V