电子工程学系鳍式电晶体之制程及可靠度研究专题周记一-专题周记系统.PDF

電子工程學系 鰭式電晶體之製程及可靠度研究 專題週記(一) 研究生: 吳少棠 侯富淵 賴柏亨 指導教授: 林成利博士 日期:2014 / 10 / 8 研究主題 ：Quantum Transport Simulation of Strain and Orientation Effects in Sub-20 nm Silicon-on-Insulator FinFETs 作者 ：Keng-Ming Liu, Leonard F. Register, and Sanjay K. Banerjee 出處：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 58, NO. 1, JANUARY 2011 研究生: 吳少棠 賴柏亨 侯富淵 指導教授:林成利博士 日期:2014/8/20 摘要 ： 當元件的尺寸縮小時，會產生量子限域效應，對元件性能造成影響，因為小的 元件會比大的元件具有較大的量子限域效應，所以可以以此來模擬量子限域效應對 應力效應的影響 ，其中較小的元件有著10-nm閘極長度，3-nm閘極寬度，4-nm閘極 高度，以及1-nm的閘極氧化層；較大的元件有20-nm閘極長度，6-nm閘極寬度，8-nm 閘極高度，以及2-nm的閘極氧化層；這兩個元件都有5-nm長的源極區和汲極區，是 n型摻雜ND =20 cm-3 ，且通道是未摻雜的。 主要結論 ： 圖一為較大元件的ID-VG曲線，圖二為較小元件的ID-VG曲線；圖三為較大元件 的ID-VD曲線，圖四為較小元件的ID-VD曲線。 從四張圖可以發現，較大的元件會因應力而產生一些特性的變化，而較小的元 件因為有較大的量子限域效應而使應力產生的特性互相抵消。 圖一 圖二 圖三 圖四 研究主題 ：Realization of Fully Tunable FinFET Double Quantum Dots with Close Proximity Plunger Gates 作者 ：Feras M. Alkhalil, Julia I. Perez-Barraza, Muhammad K. Husain, Yun P. Lin, Nick Lambert, Harold M. H. Chong,Yoshishige Tsuchiya, David A. Williams, Andrew J. Ferguson and Hiroshi Mizuta 出處：2012 12th IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) The International Conference Centre Birmingham 20-23 August 20112, Birmingham, United Kingdom 研究生: 吳少棠