电晶体共射极放大电路CommonEmitterAmplifier.PDF

` 電晶體 共射極放大電路 (Common Emitter Amplifier) 電晶體結構特性與 I －V曲線 C C 在兩塊 P型半導體間夾一片 N型半導體或在兩塊 N型半導體間夾一片 P型 半導體，即成為電晶體，電晶體三極分別為射極(Emitter ；E) 、基極(Base ；B)及 集極(Collector ；C) 。如圖 1(a)若在 E －B間加上一順向電壓 V ，則必有一順向 BE 電流產生，且 I I 。若如圖 1(b)在 B －C間加上一逆向電壓 V ，則因接合面 E B CB 為逆向，故 PN 接面不導通，I B I C I CBO ，一極小之逆向飽和電流。若把圖 1(b)的 E －B間加上一順向電壓如圖 1(c) ，在 驅使下 E極內的電洞進入 B極， V BE 由於 B 極很薄且參雜濃度低，只有少量的電洞與電子結合造成些微的 ，因此 I B 進入B極的電洞還未與 B極的電子結合就受到 的影響而進入 C極造成大量的 V CB I 。 C I I E C E P N P C E P N P C I I B B V B B V BE CB (a) I E I B (b) I B I C I CBO I I E C E C