电沉积荦犻80犉犲20／犆狌纳米多层膜及其巨磁电阻效应-化工学报.PDF

第 卷 第 期 化 工 学 报 ５９ ２ Ｖｏｌ．５９ Ｎｏ．２ 　 　 　 　 　　　 　　　 　　　 　　　 　　　　 　 年 月 （ ） ２００８ ２ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒ ａｎｄ Ｅｎｉｎｅｅｒｉｎ Ｃｈｉｎａ Ｆｅｂｒｕａｒ ２００８ 　 　 　 　 　 　 ｙ　 　 ｇ ｇ　 　 　　 ｙ　 檭 殐檭檭檭檭檭殐 檭 研究论文檭 电沉积 ／ 纳米多层膜 犖犻犉犲 犆狌 殐 殐 檭 檭檭檭檭檭 ８０ ２０ 及其巨磁电阻效应 张卫国，姜 莹，姚素薇 　 （天津大学化工学院杉山表面技术研究室，天津 ３０００７２） 摘要：采用单槽控电位双脉冲技术在 （ ）晶面上制备了 ［ ／ ］多层膜，用 观测了多层膜 狀Ｓｉ １１１ ＮｉＦｅ Ｃｕ ＳＥＭ ８０ ２０ 狀 的断面形貌，利用 射线衍射 （ ）表征了多层膜的超晶格结构。采用四探针法研究了多层膜的巨磁电阻 Ｘ ＸＲＤ （ ）性能，结果表明，多层膜的 值随着 层厚度的变化发生周期性振荡，随着 层厚度的增加先 ＧＭＲ ＧＭＲ Ｃｕ ＮｉＦｅ 增大后减小；当样品结构为 ［ （ ）／ （ ）］ 时， 值可达 ；多层膜的最低饱和磁场 ＮｉＦｅ １．６ｎｍ Ｃｕ ２．６ｎｍ ８０ ＧＭＲ ６．４％ 仅为 ７５０Ｏｅ。磁滞回线测试结果表明，反铁磁耦合多层膜具有较小的矩形比，更适宜作为磁头材料。 关键词：电沉积；多层膜；巨磁电阻；超晶格； ／ ＮｉＦｅＣｕ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） Ｏ６４６ Ａ ０４３８－１１５７ ２００８ ０２－０５０３－０５ 　　　　　　 犈犾犲犮狋狉狅犱犲狅狊犻狋犻狅狀犪狀犱 犻犪狀狋犿犪狀犲狋狅狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狅犳 狆 犵 犵 犖犻 ／ 犉犲 犆狌狀犪狀狅犿犲狋犲狉犿狌犾狋犻犾犪犲狉狊 ８０ ２０ 狔