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第三十九讲双极晶体管续
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
第三十九讲 双极晶体管 （续）
12 6 2002
月 ，
内容：
1. 在BJT工作中的非理想效应（续）
2. BJT设计的发展
3. 在CMOS中的双极问题
通知：
12 20 1 30 4 30PM Walker #25 3 MOSFET BJT
期终考试： 月 ，星期五。 ： － ： 在 。包含整个课程，但主要强调 － 内容（ 和 ）。带计算器。开卷。
阅读作业
del Alamo Ch. 11 §11.5 11.5.4 ( )
， （ ） 要求保证质量
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
主要问题
为什么BJT在高的集电极电流时性能会衰减？
从它一开始集成，BJT设计是如何的？将来的发展会如何？
在CMOS中的双极问题是什么？
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
1. 在BJT 的非理想效应 （续）
□ 高的集电极电流效应
I υ
随着 C ，集电极电子速度 ↑。但是，存在一个极限： sat 。
I
那么，当 C 接近：
I = qA N υ
C E C sat
集电结的静电势发生巨大的改变 晶体管的性能衰减：
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
做一阶近似：
I C 2 ; I Cp k ; I CK
主要起因：在集电结SCR 内部电流对基区宽度调整I C 2 有效的准 性基区宽度 ↑ β F 新的延迟成分 f Tp k ↓
N
C 的主要设计问题：
N C I CK f Tp k
试验[Crabbe IEDM 1 3] ：
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
主要的折衷：
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