铝阳极氧化基板制备过程对埋置型犜犪荦薄膜电阻的影响.PDF

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ４ 犞狅犾．２９ 犖狅．４ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ４ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犃 狉．２００８ 狆 铝阳极氧化基板制备过程对埋置型犜犪犖 薄膜电阻的影响  朱大鹏 罗 乐 　 　 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 ２０００５０） 　 摘要：在铝阳极氧化多层基板内用 犚犉反应溅射制备了埋置型 犜犪犖薄膜电阻，研究了铝阳极氧化过程对 犜犪犖薄膜电阻 和显微结构的影响 实验结果表明： 薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由 和 组成的氧化物 ． 犜犪犖 犜犪犗 犜犪犗犖 ２ ５ 凸起绝缘层，氧化物凸起层厚度与氧化电压有关 底层 薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变，表层氧化凸起使电 ． 犜犪犖 阻稳定性增加． 关键词：阳极氧化；犜犪犖薄膜电阻；电学性能；显微结构 ： ； 犈犈犃犆犆 ２１２０ ２５２０犈 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０５ 犃 ０２５３４１７７２００８０４０７７４０６ 　　　 　　　 所示 在微晶玻璃衬底上利用 ． 犇犲狀狋狅狀狏犪犮狌狌犿犱犻狊犮狅狏 引言 犲狉２４磁控溅射仪 犚犉反应溅射沉积厚度为 １００狀犿的 １ 狔 　 电阻薄膜（图 （））溅射条件为 纯钽靶 犜犪犖 １犪 ． ９９９％ 通过选择性阳极氧化制备的多层布线高密度淀积 材，溅射功率为 ３００犠，温度为 ３５０℃，腔体真空度和溅 型多芯片组件（ ）基板具有可靠性好、工艺简单 射真空度分别为 －４和 －１ ，氩气和反应 犕犆犕犇 ４×１０ ５３×１０ 犘犪 ［，