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雷经理以下问题请处理2胜天宇三极E6160VCE700VMIN功耗大.PDF

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雷经理以下问题请处理2胜天宇三极E6160VCE700VMIN功耗大

电子发烧友 电子技术论坛 由天宝E6160 三极管选型想到的 引子 雷经理 以下问题请处理 2 )胜天宇三极E6160 (VCE :700V MIN )功耗大,不能满足能效,温 升: 装上 12V/0 。41A 的产品测试后待机功耗大,用正常E6 160 三极管测(115V 输入)产品输入功率为 6.78W,用不正常E6160 三极 管测产品输入功率为7.16W,相差0.38W,能效相差4%左右,我手上有不 良品与良品,请反馈料商来我司共同分析, Best Regards 物开部 陈叶 无独有偶,深圳市可立克电子采用 BYD 的 2501 方案做一个 6W 的电源, 先选用 E6160(可立克通过我们的网站找到这个型号的) ,发现在密闭环境下,温 度有 E6160 本体温度超过 160°(说明盛元的封装工艺不错),最后和其沟通, 我司推荐选用 EB13003A (VCEO450V Ic=1.5A Hfe 25-35 ),温度立即下降 至 105°(密封状态) 关于开关电路用的功率三极管选型,很多工程师存在一些误区,下面就这些问 题谈谈自己的认识,希望起到抛砖引玉的作用,希望各位高手指点一下(声明一 下,本人非开关电源应用高手,我只关心与三极管工作状态,同时厘清一下什 么是漂亮的三极管驱动波形) 雷 鸣 sysemi.china@ 欢迎登陆我的博客: 功率甲壳虫 电子发烧友 电子技术论坛 1 主要参数 1 .电压参数 ( 1) 集电极额定电压V CEM 加在 GTR 上的电压如超过规定值时,会出现电压击穿现象。击穿 电压与GTR 本身特性及外电路的接法有关。各种不同接法时的击穿 电压的关系如下 BVCBO >BVCES >BVCEX >BVCER >BVCEO 其中,BVCBO为发射极开路,集电极与基极间的反向击穿电压; BVCEX为发射极反向偏置时集电极与发射极间的击穿电压; BVCES 、BVCER分别为发射极与基极间用电阻联接或短路连接时集 电极和发射极间的击穿电压; BVCEO为基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 GTR 的最高工作电压V 应比最小击穿BV 低,从而保证元件工 CEM CEO 作安全。 电子发烧友 电子技术论坛 (2 ) 饱和压降V CES 单个GTR 的饱和压降一般不超过 1~1.5V,V 随集电极电流I CES CM 的变化而变化。 2 .电流参数 (1) 连续(直流)额定(集电极)电流IC 连续(直流)额定电流指只要保证结温不超过允许的最大结温、 晶体管所允许连续通过的直流电流值。 (2 ) 集电极额定电流(最大允许电流)ICM 集电极额定电流是取决于最高允许结温下引线、硅片等的破坏电 流,超过这一额定值必将导致晶体管内部结构件的烧毁。在实际使用 中可以利用热容量效应,根据占空比来增大连续电流,但不能超过峰 值额定电流。 电子发烧友 电子技术论坛 (3 ) 基极电流最大允许值IBM 基极电流最大允许值比集电极额定电流的数值要小得多,通常 IBM= (1/2~1/10)ICM ,而基极—发射极间的最大电压额定值通常只有 几伏。 (4 ) 集电极最大耗散功率PCM 集电极最大耗散功率是指最高工作温度下允许的耗散功率。它受 结温的限制,由集电极工作电压和电流的乘积所决定。 1.4.4 二次击穿现象与安全工作区 1.二次击穿现象 二次击穿是G

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