高功率GaN模型库的器件和PA电路级验证-微波杂志.PDFVIP

TechnicalFeature 技术特写 高功率GaN模型库的 器件和PA电路级验证 Device and PA Circuit Level Validations of a High Power GaN Model Library Larry Dunleavy和Hugo Morales Modelithics Inc. Charles Suckling和Kim Tran Qorvo Inc. Modelithics和Qorvo正合作扩展用于GaN功 的要求相结合，同时多年来，这些技术也在不 率晶体管必威体育精装版的高精度模型，供设计人员 断变化，已经从硅发展到GaAs ，随后又发展成 免费使用。现有和开发中的GaN模型库支持基 GaN （有少量应用又返回使用硅）。GaN 已经发 于仿真的功率放大器（PA ）设计流程，其输出 展成高功率/高频率应用的绝对技术赢家，并且 功率需求为5W至500W 。本文概述了模型库的 全球GaN设备和GaN功率放大器市场获得了可观 内容、功能和器件以及全新模型的电路级“闭 的投资，产品更新非常迅速。 环”PA验证。 过去，微波功率放大器设计一直由众多专 多年来，微波功率放大器设计一直是热门 业人员来完成，极少采用计算机仿真。对许多 的研发主题。这一主题之所以能够引发关注并 人而言，这种基于负载线分析的“新技术”1简 持续发展，就在于它将全新应用与具有挑战性 单但却极其实用，足以提供简单的起点设计。 设计人员首先构建起点，然后去实验 VdsQ扩展，12V时(蓝色) 室，让技术熟练的技术员和工程师利 VdsQ扩展，28V时(红色) 用他们的专业知识，在电路板级进行 1.2 调整，直至满足所需的规格。 1.0 其它人则完全依靠负载牵引数 0.8 据来定义他们的设计标准，在输出功 ) A ( s 0.6 率、效率和线性度之间实现所需的折 HMT_TQT_TGF2023_2_02_001_MDLXTQTGaN d X1 I 0.4 中选择，满足功率放大器输出匹配目 VDSQ=28V 0.2 标。但也存在局限性，获取各个频率 BWremoval=1 – 消除了焊线效应 自热参数=1