N沟道MOSFETMEM2300XG系列描述特点引脚排列图典型应用.PDF

N 沟道 MOSFET MEM2300XG 系列 Ver 02 N 沟道 MOSFET MEM2300XG 系列 描述： 特点： V =20V I =4.2A MEM2300XG 系列 N 沟道增强型功率场 DS D R =29mΩ@V =4.5V，I =3A 效应管（MOSFET ），采用高单元密度的 DMOS DS(ON) GS D R =36mΩ@V =2.5V，I =2A 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导 DS(ON) GS D 超大密度单元、极小的 RDS(ON) ） 通电阻。 超小封装：SOT23 MEM2300XG 适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。这种低损耗可采用小尺寸封装。 引脚排列图： 典型应用: 电池电源管理 高速开关 低功率 DC DC 转换 极限参数: 参数 符号 极限值 单位 漏级电压 VDSS 20V V 栅级电压 VGSS ±8 V 漏级电流 ID 4.2 A 允许最大功耗 PD 1.4 W 工作结点温度 Tj 150 ℃ 存贮温度 Tstg -65/150 ℃ 南京微盟电子有限公司 第 1 页 共 6 页 www. microne. com. cn 电话：025 N 沟道 MOSFET MEM2300XG 系列 Ver 02 主要参数及工作特性: MEM2300XG 特性 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位