低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 1’ %% ， ， ， YU@ 51’ XU 5 ZB[\G+\C %% （ ） !%%%=$)%V%%V1’ % V !%$’=%3 W9;W STRN9W RNXN9W !%% 94./ 5 S4CA 5 RUI 5 低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中 氧沉淀的影响! ）） ） ） ! # 崔 灿 马向阳 杨德仁 !）（浙江理工大学物理系，杭州 $!%%!） ）（浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 $!%%’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%’ ( !) %%’ ’ ! 研究了直拉硅片从不同的温度线性升温（ ）到 ，然后在 退火 过程中的氧沉淀行为 结果 *+,-./0 ’1%2 ’1%2 3( 4 5 表明， 对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用，且起始温度越低促进作用越强 这是因为在 处 *+,-./0 5 *+,-./0 理中，低温（ — ）热处理阶段氧的扩散速率显著增强，促进了氧沉淀核心的形成，且较低的 升温速 (1% 31%2 *+,-./0 率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大5 进一步的实验结果还表明，低起始温度的*+,-./0 处理可应用于硅片的 内吸杂工艺，能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力，减少热预算，但不适用于魔幻洁净区（ ）工艺 678 5 关键词：直拉硅，氧沉淀，退火 ： ， ， !## 3%9 3!’%: 3!’%; 方法来促进 硅中氧沉淀的生成，如在 硅中掺 98 98 ［，］ ( 1 入氮和锗等杂质 ，通过快速热处理（ ）引入高 !J 引 言