区域耕地非农化与粮食产量关系空间特征研究.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２４ ３ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．３ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００９ ６ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ｊｕｎ．２００９ ｑ ｙ ｐ ｙ 文章编号： （ ） １００７２７８０２００９０３０３６７０５ 犣狀犗薄膜离子注入改性的研究进展 薛书文，梅 芳，肖世发，黄子康，莫 东 　 　 （湛江师范学院 物理系，广东 湛江 ， ： ） ５２４０４８Ｅｍａｉｌｘｕｅｓｈｕｗｅｎ ２６３．ｎｅｔ 　 ＠ 摘 要： 是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的 族化合物半导体材料， ＺｎＯ  　 Ⅱ Ⅵ 离子注入是常用的半导体掺杂技术，文章综述了国内外近年来离子注入技术在 的 、 ＺｎＯ ｎｐ 型掺杂等方面的研究进展。 关 键 词：氧化锌；离子注入；掺杂 　 　 中图分类号：ＴＮ３０５．３ 文献标识码：Ａ 　　　 一般不是很高。根据不同的应用目的，人们可以 １ 引 言 　 　　 通过掺杂改变 ＺｎＯ中的载流子的浓度和类型。 ＺｎＯ是一种透明的  族化合物半导体，室 离子注入技术就是其中一种颇为有效的掺杂手 ⅡⅥ 温下的禁带宽度为 。 的激子束缚能 段。目前，对 的离子注入改性研究主要集中 ３．３７ｅＶ ＺｎＯ ＺｎＯ （ ）比 （ ）和 （ ）等 在如下几个方面：（）通过注入 等提高 的 ６０ｍｅＶ ＧａＮ ２５ｍｅＶ ＺｎＳｅ２２ｍｅＶ １ Ａｌ ＺｎＯ 高出很多，同时比室温热离化能（ ）也高许 导电性能，制备高电导率的透明薄膜；（）通过注 ２６ｍｅＶ ２ 多，具有纤锌矿结构。早期 的紫外发射随温 入 等提高 电阻率，制备绝缘材料；（）通过 ＺｎＯ Ｏ