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专用集成电路设计基础 复习 董刚 西安电子科技大学微电子学院 gdong@mail.xidian.edu.cn 考试时间和地点 考试时间： 2015年1月5 日（周一） 晚上19:10- 20:40 地点： A213 A214 A217 第二章集成器件物理基础 知识点： 2.1 电子 空穴 2.2 本征半导体 非本征半导体 多子 少子飘移电流 扩散电流 2.3 空间电荷区 势垒区 耗尽层 PN结的单向导电性 势垒电 容 扩散电容 器件模型 模型参数 2.4 双极晶体管的结构 直流放大原理 电流集边效应 特征频率 外延晶体管 最高振荡频率 基区串联电阻 晶体管模型 模型参数 2.6 MOS 晶体管结构 工作原理 非饱和区和饱和区的特点 阈值电压 MOS 晶体管与双极晶体管的特点比较 模型和模型参数 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常 称为 “九个9”。 本征半导体的共价键结构 +4 +4 +4 在绝对温度T=0K时， 所有的价电子都被共价键 紧紧束缚在共价键中，不 +4 +4 +4 会成为自由电子，因此本 征半导体的导电能力很弱 +4 +4 +4 ，接近绝缘体。 束缚电子 当温度升高或受到 光的照射时，束缚 +4 +4 +4 电子能量增高，有 的电子可以挣脱原 子核的束缚，而参 +4 +4 +4 与导电，成为自由 电子。 空穴 自由电子 自由电子产生的 同时，在其原来的共 +4 +4 +4 价键中就出现了一个 空位，称为空穴。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 可见本征激发同时产生 电子空穴对。 +4 +4 +4 外加能量越高（温度 越高），产生的电子空