八、半导体-三极管.ppt

晶体三极管的测量 一、晶体三极管管脚的测量 1、选择万用表 的R×100 或R×1K档。 红：负极 黑：正极 2、判断基极。 看内部结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 P N P 集电极 基极 发射极 B C E 五、三极管的管脚与质量判别 任意假设一管脚为基极，把万用表黑笔接假设基极，红笔接 其余两脚，若测得阻值均为小，则黑笔所接就是基极，且管子 为NPN型；然后反过来，红笔接基极，黑笔接其余两极，测得 阻值均为大，则假设正确。 如果测得一个为高阻，一个为低阻，则假设不正确需另外假 设基极再测。直到满足条件为止。 PNP型测试方法类似. B C E 黑 红 （动画） 红 小 小 任意假设一管脚为基极。把万用表的黑笔接基极，红笔接其余两脚，测得阻值均为大（PNP）或均为小（NPN）；然后反过来，红笔接基极，黑笔接其余两极，测得阻值均为小（PNP）或均为大（NPN），则假设正确。 B E C NPN型三极管 万用表 小 小 B E C PNP型三极管 万用表 大 大 如果测得一个为高阻，一个为低阻，则假设不正确需另外假设基极再测。直到满足条件为止。 3、判断集电极。 已确定NPN型管和基极B,则 任意假设另外两极中一个为集电极，把万用表的黑笔接‘集电极’，红笔接另外一个假设的发射极，将手指将C、B极联一下，记下欧姆表的摆动幅度。然后，反过来测一次，即原假定为C极的改为E极,原假定为E极的改为C极,再记下欧姆表的摆动幅度. 摆动大的一次(即阻值小的一次),假设正确:即黑笔所接为集电极，红笔所接为发射极. B E C NPN型三极管 万用表 K 100KΩ 若是PNP型管,只要把上述操 作中的红、黑笔对调即可。 黑笔 红笔 动画 3、判断集电极。 *当确定基极后，任意假设另外两极中一个为集电极，把万用表 的黑笔接‘集电极’，红笔接另外一个极（假设的发射极），将手 指将C、B极联一下，读取万用表的摆动,(如图一)。 *然后，反过来测一次(如图二) . *比较表针的摆动，摆动大的假设正确(如图一). 图一 图二 4、三极管好坏的大致判别 根据PN结单向性，可以检查三极管内各极间PN结的正反向 电阻即可对三极管的性能有一个大致的了解。 B C E B E C N P N B E C 黑 红 红 小阻值 几百～几KΩ 小阻值 几百～几KΩ (大阻值 几百KΩ) （黑） （红） 3、三极管质量性能的简易检测（1）估计比较放大系数β的大小 B E C NPN型三极管 万用表 K 100KΩ ∵当K断开时, 管子截止,测得RCE大 当K闭合时,管子导通放大, 根据IC = ?IB,如果?大, 则测得RCE就小, ∴两次读数相差越大 表示β越大 比较开关K断开和接通时的电阻值,前后两个读数相差越大,表示β越大. ∵三极管只有各电极电压极性正确时?才较大. （2）穿透电流测量 B E C NPN型三极管 万用表 R×1K档，读数 在几百KΩ以上， 越大，穿透电流 就越小，性能越 好。 （3）判别是硅管还是锗管 用测量晶体管发射结正向电阻来区别: 硅管的电阻比锗管的大 对于NPN型管,黑接基极 ,红接发射极正向电阻 在中间偏右为硅管, 偏右至0Ω刻度为锗管. B E NPN型三极管 万用表 08电子不讲 （硅管的电阻比锗管的大。） 课堂小结 1、三极管是由二个PN构成的电流控制器件。当发射结正偏； 集电结反偏时，它具有电流放大作用。三个电极的电流关系为 IE = IC + IB。 2、三极管的伏安特性分输入特性和输出特性。 1）输入特性反映发射结电压UBE 与基极电流IB 之间的关系。 2）输出特性曲线反映IC、UCE 和IB 之间的关系。它分为放大 区、截止区 和饱和区，反映了三极管的三种工作状态。 判三极管的管脚（b、e、c极)、材料（硅Si、锗Ge管）、管型（NPN、PNP型）？ 步骤： 1、Vb居中，判出b极； b、e电位相近， b、c电位相差远，判出e 、c极。 2、若 b、e电位差压约0.7V，则为硅Si材料， 约0.3V，则为锗Ge材料。 3、若Vc＞Vb＞Ve, 即Vc最高，则为NPN型管； 若Vc＜Vb＜Ve, 即Vc最低，则为PNP型管。 已知工作于放大状态的三极管各极电位， b e C b e C 中 中 高 高 低 低 堂上练习、有一个三极管，它处于放大状态，已知三个管 脚的电位为U1=3.5V、U2=2.8V、U3=15V，请判断： （1）判三极管的e、b、c极；（2