哈工程核学院核电子学-模电基础.pptVIP

模电基础 1.二极管 2.三极管 3.场效应管 4.单管放大电路 5.多级放大电路和运算放大器 6.反馈 模电基础——（二极管） 1.1 PN结形成 模电基础——（二极管） 模电基础——（二极管） 1.3二极管的结构和类型 模电基础——（二极管） 模电基础——（二极管） 模电基础——（二极管） 1.6二极管的电容效应 模电基础——（二极管） 1.7二极管应用 模电基础——（三极管） 2.1 三极管（晶体管BJT）的结构及其类型 模电基础——（三极管） 2.2晶体管的三种连接方式 模电基础——（三极管） 2.3晶体管的工作状态——放大 （以NPN共发射极为例） 模电基础——（三极管） 模电基础——（三极管） 模电基础——（三极管） 2.3晶体管的工作状态——饱和、截止 模电基础——（三极管） 2.4晶体管的伏安特性（NPN共射极为例） 模电基础——（三极管） 2.4.2输出特性 模电基础——（三极管） 2.5 温度对晶体管参数的影响 模电基础——（场效应管） 3.1 场效应管概述（Field Effect Transistor, FET） 模电基础——（场效应管） 3.2.1 JFET的结构及类型 模电基础——（场效应管） 3.2.2 JFET的工作原理 模电基础——（场效应管） 3.2.2 JFET的工作原理 模电基础——（场效应管） 3.2.3 JFET的伏安特性 模电基础——（场效应管） 模电基础——（场效应管） 3.2.4 JFET的主要参数 模电基础——（场效应管） 3.3 绝缘栅场效应管（MOSFET） 模电基础——（场效应管） 模电基础——（场效应管） 模电基础——（场效应管） 模电基础——（场效应管） 3.4 场效应管与晶体管的比较 模电基础——（单管放大电路） 模电基础——（放大电路） （a）放大电路的主要性能指标 模电基础——（放大电路） （a）放大电路的主要性能指标 模电基础——（放大电路） 模电基础——（放大电路） （b）共射极放大电路 模电基础——（放大电路） （b）共射极放大电路 模电基础——（放大电路） （c）共集电极放大电路（射极跟随器） 模电基础——（放大电路） （d）共基极放大电路 模电基础——（放大电路） 模电基础——（放大电路） （a）共源放大电路 模电基础——（放大电路） （b）共漏放大电路 模电基础——（多级放大电路） 模电基础——（多级放大电路） 模电基础——（多级放大电路） 模电基础——（多级放大电路） 模电基础——（多级放大电路） 模电基础——（反馈） 模电基础——（反馈） 模电基础——（反馈） 模电基础——（反馈） 模电基础——（反馈） 模电基础——（反馈） 4.1晶体管放大电路 (a)放大电路的主要性能指标 (b)共射极放大电路 (c)共集电极放大电路 (d)共基极放大电路 4. 2场效应管放大电路 (a)共源放大电路 (b)共漏放大电路 4.单管放大电路 4.1晶体管放大电路 电压放大倍数（电压增益） 电流放大倍数（电流增益） 4.1晶体管放大电路 输入电阻 输出电阻 低内阻电压源输入电阻越大越好 高内阻电流源输入电阻越小越好 输出电阻越小电压增益越接近空载时电压增益，带负载能力越强 （a）放大电路的主要性能指标 输入信号的频率往往是在一定范围内变化的，要使放大后的输出信号不失真，就要使放大电路对不同频率的输入信号具有相同的放大能力。 通频带 中频段 电压放大倍数几乎不变的频率范围 电压放大倍数下降到 时，上下限截止频率之间形成的频带宽度 通频带越宽表明放大电路对不同频率信号的适应能力越强。 输入电阻 输出电阻 电压增益 有比较高的电压和电流放大倍数，输出电压与输入电压反相，输入电阻较小。多用于多级放大电路的中间级 Ro 电压增益 输入电阻 输出电阻 电压增益小于1，接近1，输出电压与输入电压同相；有电流和功率放大能力；有高输入电阻和低输出电阻。多级放大电路中作为输入级和输出级。 电压增益 输入电阻 输出电阻 没有电流放大能力，有电压放大能力；输出电压与输入电压同相；输入电阻小，输出电阻大。通常用在高频放大电路。 4. 2场效应管放大电路 类似晶体管与共射放大电路，有电压放大能力；输出与输入电压反相；但输入电阻较高而电压放大倍数较小。 电压放大倍数小于1，约等1；输出与输入电压同相，又称漏极跟随器；输出电阻很小。 5.1 多级放大电路 不是独立的各级的电压益，而是必须考虑前后级对它的影响 一般情况下有（输入输出为射极跟随器除外） 5.2 集成运算放大器 输入级：输入级对整个运算放大器的性能指标影响较大，是提高集成运放质量的关键部分，要求有高输入电阻，能减小零点漂移和抑制干扰。一般采用差动放大电路。 中间级：主要完成电压放大任务，要求有高的电压增益。一般采用带有源