γ犆狌犐超快闪烁转换屏的制备与性能表征.pdfVIP

， ， ， 第 卷 第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 ３５ ４ Ｖｏｌ．３５Ｎｏ．４ １０７９１０８３ 　 　　　　　　　　　　　 ｐｐ 年 月 ， ２０１５ ４ Ｓｅｃｔｒｏｓｃｏ ａｎｄＳｅｃｔｒａｌＡｎａｌｓｉｓ Ａ ｒｉｌ２０１５ 　　　　　　　　　　　 　 ｐ ｐｙ ｐ ｙ ｐ 　 γ犆狌犐超快闪烁转换屏的制备与性能表征  ， ， ， ， ， 夏 明 顾 牡 刘小林 刘 波 黄世明 倪 晨 　 　 　 　 ， ， 同济大学物理科学与工程学院 上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室 上海　２０００９２ ， ， 、 摘 要 以石英基片为衬底 采用真空热蒸发法 通过调控衬底温度制备出了具有微柱结构 柱径在 ｍ量 　 　 μ 、 。 ， 级 厚度约 的 超快闪烁转换屏 在 射线激发下 所制备的 超快转换屏具有峰位在 １７ ｍ γＣｕＩ Ｘ γＣｕＩ ４３０ μ ， ； ｎｍ的快成分发射峰和峰位在 ７００ｎｍ的慢成分发射带 其中快成分发射峰占总发光的主要部分 随着衬底 ， ， 温度由１７０℃升高至 ２１０℃ 转换屏 ４３０ｎｍ发射峰的强度会逐渐减弱 而 ７００ｎｍ发射带的强度则逐渐增 ， 、 （ ／ 强 这可能是由于较高的衬底温度会造成碘流失从而引起转换屏中碘空位增加 铜空位减少所致 ＣｕＩ增 ）， 。 （ ） ， 大 碘流失的假设得到了卢瑟福背散射实验的验证 γＣｕＩ超快转换屏的晶体结构呈 １１１晶面择优取向 ， ， ， 且不随衬底温度而变化 当衬底温度升高至 ２１０℃时 由于ＣｕＩ分子获得的动能增加 转换屏还会出现微弱 （ ） （ ） 。 ， ， 的 和 晶面的取向 当衬底温度由 增至