必威体育精装版《数字集成电路基础》18bIMS资料.pptx

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2018-04-05 发布于河北
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BiCMOS;一、BJT的特点：优点垂直结构;输入电容由扩散电容决定随工作电;缺点：存在直流输入电流，基极电;二、先进的双极工艺　双极型的;综合考虑，先进双极工艺有：先;(1)深沟隔离先刻沟槽，然后用;(2)多晶硅发射极在发射区上淀;(3)异质结BJT发射区电流注;(4)自对准BJT技术发射区与;工艺： ;１．二类晶体管的差别①　BJT;② BJT的输出电流随输入电压;２．二类IC的差别①双极型IC;②　MOSIC 优;TTL具有中等的速度，门延迟小;各类电路优值比较：;四、BiCMOS 双极型电路;最早的BiCMOS是用CMOS;特点：在CMOS反相器;优点：　　①．此反相器静态功耗;BiCMOS反相器电路其他的;六、BiCMOS门电路 ;七、BiCMOS的外部特性1.;BiCMOS反相器在ＵDD=5;空载时BiCMOS电路的传输延;八、BiCMOS工艺由于拥有两;1、以P阱CMOS工艺为基础的;这种结构的缺点是：（1）;2、以N阱CMOS工艺为基础的;优点：（1）工艺中添加了基区掺;如果以P+-Si为衬底，并在N;3、以双极工艺为基础的BiCM;三种以PN结隔离双极型工艺为基;以双极工艺为基础的双埋层双阱B