6.TFT-LCD制造技术知识-清洗技术知识.pptx

ＴＦＴ－ＬＣＤ基础知识培训讲座　　第三章 TFT-LCD制造技术第一节 Array 工艺第二节 Cell 工艺第三节 Module 工艺第四节 清洗工艺第四节　清洗技术简介4.1 清洗概述4.2 Wet Cleaning4.3 Dry Cleaning4.1 清洗概述 General Definition Purpose of Cleaning(FPD ) 清洗是指事前去除工艺中的基板污染或 Particle，使不发生不良(Pattern open,short诱发/黑,白点…etc) 的工艺技术， 而且,通过 Glass 的有效 Cleaning，提高 Film间的 adhesion 效果及 Device的全般性特性向上。 Cleaning Technology 去除基板表面污染的技术 4.1 清洗概述Brush(Roll/Disk) Jet / High pressure Physical cleaning Cavitation(物+化學) Ultra sonic cleaning Wet cleaning TypeMega sonic cleaning Organic solvent Neutral cleanser Chemical cleaning D.I / O3,H2 水 U.V/O3 Chemical Reaction Plasma(酸化/非 酸化) Dry cleaning TypeLaser 4.2 Wet CleaningRB（roll brush)目的及清洗原理： RB（roll brush)：是利用高速旋转的滚刷配合特定的化学清洗剂，对玻璃基板表面3μm以上大小的灰尘进行去除的一种清洗方法，在整个CELL工艺中应用极为广泛。其中滚刷的刷毛以尼龙材质最为常见，所用化学清洗剂也以LH-300居多。生产中的主要工艺控制点有：滚滚刷的旋转速度，旋转方向，SW的流量和压力等等。主要的耗材包括：虑塞，滚刷。RB设备构造示意图：flowSW nozzleRB4RB2RB3RB1chamber流量控制模块 LKSW4.2 Wet CleaningSW(shower)目的及清洗原理： SW(shower):是利用具有一定压力的DI water以喷淋的方式来清洗玻璃基板，主要用于去除一些浮游的以及1 μm以下的灰尘。在工程中的应用也极为广泛，经常与其他清洗设备搭配使用，可以用在RB后清洗剩余的化学清洗剂，也可以用来作为AK前的soft SW。在生产过程中主要的工艺控制参数有：SW的流量和压力，玻璃基板的传送速度等。主要的耗材有：虑塞，SW nozzle。 SW设备构造示意图：flowSW nozzlechamber流量控制模块BJ4.2 Wet CleaningBJ(bubble jet)目的及清洗原理： BJ(bubble jet)：也叫CJ（cabitation jet）是利用加了高压的DI water与空气混合后所产生的大量bubble来去除particle的一种清洗设备。该设备可以用来去除3～5 μm的顽固particle。在整个CELL清洗工艺中应用较多，由于高压，具有一定的危险性。生产过程中的主要工艺控制参数有：BJ的压力，玻璃基板的传送速度。主要的耗材有：虑塞， slit nozzle。BJ设备构造示意图：压力数字控制器DDDDflowchamberBJ nozzleLKSW nozzlechamberflowUS流量控制模块4.2 Wet CleaningUS（ultrasonic）目的及清洗原理： US（ultrasonic）超声波清洗是一种比较有效的清洗灰尘方式。其主要原理为：将玻璃基板在以水为介质的环境中传送或浸泡一段时间，同时在水中增加超声波振荡，这样可以更加有效的去处玻璃基板上附着的灰尘。在cell工艺中多采用这种方式去处较难处理的灰尘。工艺过程中主要的工艺参数包括：超声波的振荡频率，玻璃基板的传送速度等。耗材较少。US设备构造示意图：上部heater下部herter4.3 Dry CleaningIR 目的及清洗原理。 IR：是利用远红外线产生高温对玻璃基板上的残留水分进行去除的一种清洗方式。温度为该设备的主要工艺参数。设备简介（heater部）（仪表部）UV 5UV 4UV 3UV 2UV 1flowchamber4.3 Dry CleaningUV（UV lamp）目的 UV（UV lamp）:是指在一个封闭的chamber内用UV lamp照射，生成O3以去除玻璃基板上的有机物的一种清洗方式。它可以十分有效的去除有机物P/T，但由于价格较高并且有可能对TFT会产生不良影响，所以运用比较有限。UV设备构造示意图：照度控制模块ＬＫ(leak inspect)