IC工艺技术知识 .ppt

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半导体集成电路工艺;教材: “硅集成电路工艺基础” 关旭东编著 北京大学出版社;教学内容;教学目的;教学计划;引 论;§0.1 引言;集成电路的意义;电子学 vs. 微电子学;微电子学研究领域;微电子技术;分立电路 vs. 集成电路;单片集成电路 vs.混合集成电路;单片集成电路 vs.混合集成电路;§0.2 集成电路发展概况;集成电路的发展概况 里程碑式的重大事件(1);集成电路的发展概况 里程碑式的重大事件(2);集成时代的划分;*;*;*;*;*;*;*;*;;*;*; ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;早期的集成电路;Integrated Circuits; Intel 4004 Micro-Processor;RAMs;Intel Pentium (IV) Microprocessor;半导体器件工艺的发展历史;*;*;*;*;Modern IC with a Five Level Metallization Scheme ;? Actual cross-section of a modern microprocessor chip. Note the multiple levels of metal and planarization. (Intel website).;半导体器件工艺的重要突破;硅平面工艺对IC发展的意义;主要的半导体工艺;几种IC工艺速度功耗区位图;双极工艺大致分为两类;*;*;双极工艺(BJT)器件结构;MOS工艺的分类;增强/耗尽型(E/D)NMOS工艺器件结构;CMOS工艺;*;CMOS Technology;双阱CMOS工艺器件结构; CMOS工艺的主要优点是集成密度高而功耗低,工作频率随着工艺技术的改进已接近TTL电路,但驱动能力沿不如双极型器件,所以近来又出现了在IC内部逻辑部分采用CMOS技术,而I/O缓冲及驱动部分使用双极型技术的一种称为BiCMOS的工艺技术。;BiCMOS 工艺的特点;BiCMOS;BiCMOS工艺大致分为两类;以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺器件结构;以双极工艺为基础的双埋层双阱BiCMOS工艺的器件结构;先进工艺技术;CMOS先进工艺—铜互连技术;Advanced Metallization 双大马士革 IC工艺;SOICMOS工艺;SOICMOS工艺器件结构图;SOICMOS工艺的主要技术特点;*;三维集成电路(3D IC)技术;三维集成技术的器件结构;三维集成技术的优点;三维集成技术的问题;由Intel为代表的多家公司正在开发“极端紫外”光刻技术,用氙灯将波长降至0.01微米; IBM则致力于0.005微米波长的X射线光刻技术研究工作

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