LCD生产工艺流程经典案例.ppt

* LCD LCD制造部 2007年02月08日 LCD工艺流程 曝光 前清洗及涂光刻胶 显影/酸刻 TOP / PI 摩擦 装配 CSTN/STN液晶显示屏生产线 图形段 来料玻璃 清洗 涂感光胶 前烘 曝光 显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查 清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，溶剂洗等 评价手段：接触角、强光检查表面、显微镜检查 涂感光胶：正性胶、负性胶，我们使用正性胶。 评价手段：膜厚度、显影效果、去除效果 曝光：由光路产生的平行紫外线曝光，接触式、恒温、自动对位 评价手段：光强均匀性、对位精度、图形精度 酸刻：盐酸、硝酸混合物，温度对酸刻效果影响大，温度过低生产效率降低快，过高同光刻胶有反应，生产物质难以脱膜除去。也可以使用4价铁离子作为酸刻剂。 评价手段：线条宽度、微短路、侧蚀 主要不良：断路（ITO线断开）/短路（不该相连的两条ITO线连在一起） 浮胶 微断 微断 短路 短路 短路 原材料玻璃极板 ITO层 Substrate 工艺环境：工艺环境：净房洁净度1000级，温度：23±2℃，湿度：55±15%RH。工艺条件：KOH：纯水=3：100（3～4%KOH溶液）；温度：40±2℃， IR炉板实际温度100±10℃。每月测一次。UV照度：≥19.6mu/cm2 .每月测一次.工艺重点管控：清洗液及DIW的温度、流量，玻璃传送的节拍，毛轮的压入量，气刀的压力、角度，DIW的电阻率（离子的含量）不小于15兆欧，过滤芯的规格及定期更换等。  工艺环境：净房洁净度100级，温度：23±2℃，湿度：55±5％RH，黄灯区。预烘温度：玻璃表面实际温度100 ±5℃，100 ~120秒。光积量为100~150mj/cm2 。工艺重点管控：光刻胶粘度，涂胶轮转数、压入量，光刻胶前烘温度及时间，洁净度等。光强强度及其分布，曝光机内温度，环境的温湿度及洁净度，CF玻璃的流向及曝光精度（±2u）等 工艺环境：净房洁净度1000级，温度：23±2℃，湿度：55±10％RH。工艺条件：显影剂溶液的浓度：0.70～0.73%的KOH, 温度：23±2℃，坚膜炉温度：玻璃表面实际温度130±5℃，100 ~120秒。 工艺重点管控：显影液浓度及温度、喷淋的流量，玻璃节拍，过滤芯规格及定期更换，光刻胶后烘温度及时间，气刀压力等。 工艺环境：净房洁净度1000级，温度：23±2℃，湿度：55±10％RH。工艺条件：酸刻液配比：纯水:HCl:HNO3＝10:20:1（体积比）；HCl浓度36～38％，HNO3浓度65～68％，酸刻液当量浓度：7.0～7.5N，脱膜液：5±1％KOH溶液；温度：40±1℃ 工艺重点管控：酸刻液/脱膜浓度及温度、喷淋的流量，玻璃节拍，过滤芯规格及定期更换，气刀压力等。 工艺环境：工艺环境：净房洁净度100级；温度23±2℃；湿度55±5%RH；机器内洁净度100级；温度23±2℃；湿度48±5%RH；工艺条件：单面印TOP固化工艺（即CF玻璃不印刷TOP固化工艺）：UV光积量：6000 MJ/MM2 TOP主固化温度：300℃ 工艺重点管控：清洗液浓度及温度、喷淋的流量，玻璃节拍，过滤芯规格及定期更换，气刀压力，UV光积量，温度曲线等。 TOP/PI印刷标记 工艺环境：工艺环境：净房洁净度100级；温度23±2℃；湿度55±5%RH；机器内洁净度100级；温度23±2℃；湿度48±5%RH；工艺条件：双面都需要印刷PI，PI预固化温度70~80 ℃ PI主固化温度：230℃ 工艺重点管控：清洗液浓度及温度、喷淋的流量，玻璃节拍，过滤芯规格及定期更换，气刀压力，UV光积量（UV清洗），温度曲线等。 工艺环境：净房洁净度1000级，温度：23±2℃，湿度：65±5%RH；机器内温度23±2℃，湿度 58±5%RH；工艺条件：：转速为1000rpm，台板前进速度为30mm/s；设置压入量：0.3mm；摩擦角度一般STN/FSTN/CSTN扭曲角240～260度。 工艺重点管控：摩擦效果/压入量/摩擦力矩/摩擦角度。 印框 预烘 点胶 贴合 热压 印点 预烘 喷粉 丝印：用聚酯、尼龙、钢网在单个C