MEMS工艺--光刻技术知识.ppt

MEMS工艺 ——光刻技术;主要内容;1.光刻（ Lithography ）;光刻是加工制造集成电路图形结构以及微结构的关键工艺之一。 光刻工艺就是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，结合腐蚀方法在各种薄膜或硅上制备出合乎要求的图形，以实现制作各种电路元件、选择掺杂、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。;光刻的整个生产过程;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变;负胶 ⑴两种组成部份的芳基氮化物橡胶光刻胶 ⑵Kodak KTFR（敏感氮化聚慔戌二烯橡胶） 分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条；这类光刻胶粘附力强，耐腐蚀，容易使用和价格便宜，是常用的光刻胶。 ;正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶;光刻胶的性能指标;(4)抗腐蚀性：光刻工艺要求光刻胶在坚膜后，能够较长时间 (5)稳定性：光刻工艺要求光刻胶在室温和避光情况下加入了增感剂也不发生暗反应，在烘干燥时，不发生热交联 (6)针孔密度：单位面积上的针孔数 (7)留膜率：指曝光显影后的非溶性胶膜厚度于曝光前胶膜厚度之比;几种常见的光刻方法 接触式光刻：分辨率较高，容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上;三种光刻方式;光刻工艺介绍;光刻工艺过程;清洗设备;光刻工艺过程;膜厚对分辨率的影响 膜厚对针孔密度的影响 膜厚对胶膜于衬底粘附力的影响 涂胶质量的影响因素：;光刻工艺过程;烘胶热板 ;光刻工艺过程;光刻机（ｋａｒｌＳｕｓｓ）;投影光刻机（Ultra　Ｓｔｅｐ１０００，１１００）;影响曝光质量的主要因素;光刻工艺过程;显影台;光刻工艺过程;光刻工艺过程;图形转换：刻蚀技术;干法刻蚀;;光刻工艺过程;光源;剥离工艺（Lift-Off）;光刻需注意的问题;光刻工艺的发展;电子束光刻 ;电子束光刻;离子束光刻;X射线光刻;X射线光刻;扫描技术;几种曝光方式的比较;微立体光刻成型技术;微立体光刻成型技术;微立体光刻成型技术;微立体光刻成型技术;三、制版;2、制版的工艺过程;光刻掩膜制造;1）、版图总图绘制 ;2）、刻分层图 ;3）、初缩 ;4）、精缩与分布重复 ;5）、复印 ;3．计算机辅助制版 ;1）版图数据处理技术;2）图形发生器子系数 ;4．光刻掩膜版的检查 ;制版问题