PSPICE电路仿真程序设计介绍.ppt

（8）电路规则检查 （9）输入电路图文件名 （10）建立网络表 （11）设置仿真项目与参数 MOS管的沟道长度调制效应,衬底效应及外加偏压对其转移特性和输出特性的影响 以N沟道增强型MOS管为例分析讨论主要参数、外加偏压等对特性曲线的影响，并介绍MOS管的放大作用。 【例】 图所示是测试MOS场效应管特性的原理电路。设MOS管的KP=40μA/V2， ，L=10μm，W=50μm，VTO=1V，λ=0.02。 （1）求υBS=0时转移特性曲线（取υDS=2V，10V）和输出特性曲线。 ????（2）求υDS =VDD=10V时υBS =0和-2V的转移特性曲线和输出特性曲线。 ??????????? ? 输入网单文件如下： A NMOS TESTING Circuit M1 2 1 0 3 MODM L=10U W=50U .MODEL MODM NMOS LEVEL=1 VTO=1 KP=40U GAMMA=0.8 LAMBDA=0.02 PHI=0.65 VGG 1 0 4 VDD 2 0 10 VBS 3 0 0 .OP .DC VGG 0 4 0.01 VDD LIST 2 10 *.DC VDD 0 15 0.01 VGG 1 4 1 *.DC VGG 0 4 0.01 VBS LIST 0 -2 *.STEP VBS LIST 0 -2 .PROBE .END 图 测试MOS管特性的原理电路 2.5 电源的描述 1. 独立源 独立源有独立电压和独立电流源两种，它们又分为直流源，交流小信号源和瞬态源，可以组合在一起使用。 1） 直流源 Vname N+ N- DC VALUE Iname N+ N- DC VALUE 例： VCC 10 0 DC 12V IB 0 3 1MA 其中关键字DC可以省略。 1） 交流小信号源 V〈name〉 N+ N- AC 〈幅度 相位〉 I〈name〉 N+ N- AC 〈幅度 相位〉 如果省去相位值，程序自动设置为0。 3) 瞬态源 瞬态源有五种：脉冲源、正弦源、指数源、分断线性源和单频调频源。 ·脉冲源 V〈name〉 N+ N- PULSE（V1 V2 TD TR TF PW PER） I〈name〉 N+ N- PULSE（I1 I2 TD TR TF PW PER） 各参数的意义如图2-6和表2-2所示。 ·正弦源 V〈name N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE) 其中各参数的意义和隐含值如表2-3和图2-7所示 表中TSTOP为瞬态分析语句中规定的终止时间。计算公式是： V（t）=V0+VA*sin(2π*(FREQ*(t-TD)+PHASE/360°))*exp(-(t-TD)*THETA) ·指数源 V（I）〈name〉 N+ N- EXP（V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2） 其中各参数意义如表2-4和图2-8所示 图2-8 指数源 ·分段线性源 V（I）〈name〉 N+ N- PWL（T1 V1〈T1 V2 T3 V3…〉 其中各参数意义如图2-9所示。 图 2-9 分段线性源 ·单频调频源 V（I）〈name〉 N+ N- SFFM（V0 VA FC MDI FS〉 各参数的意义如表2-5所示 。 计算公式是： VALUE=V0+VAsin[(2π*FC*t)+MDIsin(2π*FS*t) 2.线性受控源 1) 线性受控电压源 语句格式：电压控制电压源关键字是E，函数关系是V0=EVI 描述语句: E(name) N+ N- NC+ NC- (voltage gain) value 电流控制电压源关键字是H，函数关系是V0=HII。 描述语句: Hname N+ N- VNAME VALUE 其