tft生产加工工艺经典案例.ppt

E.g. 第3.5代面板 对设备的影响 玻璃基板的尺寸变大直接音响电极图案形成设备。（Array） e.g.成膜设备：占地面积加大与确保膜厚均匀性等问题。 e.g.湿式设备：更换效率与节省水等问题。 切割尺寸增大直接影响面板组装设备。（CELL） e.g.液晶注入设备：处理时间过长等问题。 次代交替快，产品生命周期短，厂商设备开发成本高。 LCD面板世代 资料来源：工研院经资中心IT IS计划书（2002/10） LC Injection(1) 将容器抽真空 将装有LC的容器上升与PANEL的注入端接触，此时LC通过毛细现象上升。 过一段时间后充入洁净的空气或氮气破真空至常压。 通过真空差压的原理，LC经过一段时间后充满PANEL。 LC Injection(2) Injection Type Dip Method 浸渍法：将PANEL注入口完全浸渍到LC中。利用真空差压与毛细力上升方式。 Touch Method Dispense Method Yarn Method 表面张力法：LC以表面张力布满LC皿，上升后与注入口接触。利用真空差压与毛细力上升方式。 含浸法：将PANEL注入口与含LC的海绵或弹簧等接触供给LC。利用真空差压与毛细力上升方式。 滴下法：由可微量供给LC的供给装置，将LC滴在注入口。利用注入的方式。 因TFT组件的动作类似一个开关(Switch)，液晶组件的作用类似一个电容，藉Switch的ON/OFF对电容储存的电压值进行更新/保持。 SW ON时信号写入(加入、记录)在液晶电容上，在以外时间 SW OFF，可防止信号从液晶电容泄漏。 在必要时可将保持电容与液晶电容并联，以改善其保持特性。 TFT Array 等效电路 TFT Array Structure A Unit Pixel Its Equivalent Circuit (Cs on gate) TFT-Array Manufacturing Process TFT-Array Process Gate Metal Sputter Depositon Gate Metal Patterning Using 1st MASK Deposition of nt a-Si/a-SVSiN x 3-Layer Using PECVD Method Patterning of a-Si lslands Using 2nd MASK Pixel ITO Sputer Deposition Pixel ITO Patterning Using 3rd MASK ?这是5次光刻形成TFT图形，采用底栅背沟道刻蚀的工艺。以玻璃为基板。第一次光刻形成栅线原料为Cr。第二次光刻形成“硅岛”——SiNx，a-Si，n+-a-Si层，第三次光刻形成ITO导电膜，第四次光刻形成源极漏极，材料为Cr，并进行n+切断，基本形成TFT。最后第五次光刻形成SiNx保护膜。 TFT-Array Process Data Bus Line and S/D Metal Sputtering Data Bus Line and S/D Patterning Using 4th MASK Etch-Back of n+a-Si Using S/D Layer as a MASK Passivation SiNx Deposition Using PECVD Passivation SiNx Atch Using RIE Possible Defects on a TFT Array Aperture Ratio of a Pixel APERTURE RATIO = APERTURE / PIXEL AREA * 100% Color Filter Fabrication Process TFT Array Process Liquid Crystal Cell Process Module Assembly Process TFT-LCD Process Cell Process Cell Process(1) Cleaning PI Coating ? 淡黃色 800~1200 ? APR: Asahi Photosensitive Resin PI 制程原理 将PI液滴在Anilox Roll 上。 Doctor Roll将Anilox Roll上的PI液整平。 APR板上的圆型凸出物将Anilox Rool凹槽内PI挤压出来并带走。 将APR 板上PI均匀转印到基板上，提供液晶配向层。 PI Rubbing(1) 配 向 絨 布 PI膜配向:基板和Roller成45度角, TFT和CF基板方向差 90 度. Roller高速旋轉時,絨毛上的纖維會甩立起