光刻过程图片解说方案研究.ppt

集成电路工艺之光刻;光刻;光刻基本介绍;光刻的一般要求;光刻胶;光刻胶的成分;聚合物; 溶剂 溶解聚合物 经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜. 感光剂 控制和或改变光化学反应 决定曝光时间和强度 添加剂 为达到不同的工艺结果而添加多种不同的化学物质，如添加染色剂以减少反射。 ;光刻胶的种类;光刻机;接触式光刻机;接触式光刻机;接近式光刻机;接近式光刻机;投影光刻机（扫描型）;步进光刻机;光刻的基本步骤;硅片清洗;硅片清洗工艺;光刻工艺－前烘;光刻工艺－前处理;硅片冷却;匀胶;硅片自动输送轨道系统；真空卡盘吸住硅片；胶盘 排气系统；可控旋转马达；给胶管和给胶泵 边缘清洗（去边）;;去边(EBR);匀胶后烘;硅片冷却;对准和曝光;曝光后烘;硅片冷却;显影;;显影后烘;图形检查;检查;检查;;目前新技术;浸没式光刻;浸没式实现方法;此外，目前正在研究的还有X-ray光刻、电子束光刻（EBL）、离子束（IBL）光刻。;安全;小结